Choice of metadata University Online Library
Page 1, Results: 9
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
Взаимодействие лазерного излучения с веществом [Электронный ресурс] : учебное пособие / В. П. Вейко, М. Н. Либенсон, Г. Г. Червяков, Е. Б. Яковлев. - Москва : Физматлит, 2008. - 308 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-5-9221-0934-5 : Б. ц.
ББК 22.345.2
Аннотация: Книга посвящена рассмотрению тепловой модели воздействия лазерного излучения на конденсированные среды. Описаны механизмы поглощения и диссипации энергии света в металлах и полупроводниках. Рассмотрена роль поверхностных электромагнитных волн оптического диапазона, процессы нагревания вещества лазерным излучением в линейных и нелинейных режимах, а также нетермические эффекты, сопровождающие лазерный нагрев. Детально рассмотрены механизмы лазерного разрушения поглощающих материалов. Изложены математические модели лазерного испарения для различных условий и сред. Тепловая модель распространена на оптический пробой прозрачных сред; рассмотрены механизмы пробоя газов и идеальных прозрачных твердых тел, тепловой неустойчивости на поглощающих неоднородностях, а также статистическая концепция оптического пробоя. Для научных работников, студентов и аспирантов, специализирующихся в области лазерной техники и технологии. Рекомендовано УМО по образованию в области приборостроения и оптотехники в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 200201 "Лазерная техника и лазерные технологии".
Доп.точки доступа:
Вейко, В. П.
Либенсон, М. Н.
Червяков, Г. Г.
Яковлев, Е. Б.
Физматлит
Взаимодействие лазерного излучения с веществом [Электронный ресурс] : учебное пособие / В. П. Вейко, М. Н. Либенсон, Г. Г. Червяков, Е. Б. Яковлев. - Москва : Физматлит, 2008. - 308 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-5-9221-0934-5 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: Книга посвящена рассмотрению тепловой модели воздействия лазерного излучения на конденсированные среды. Описаны механизмы поглощения и диссипации энергии света в металлах и полупроводниках. Рассмотрена роль поверхностных электромагнитных волн оптического диапазона, процессы нагревания вещества лазерным излучением в линейных и нелинейных режимах, а также нетермические эффекты, сопровождающие лазерный нагрев. Детально рассмотрены механизмы лазерного разрушения поглощающих материалов. Изложены математические модели лазерного испарения для различных условий и сред. Тепловая модель распространена на оптический пробой прозрачных сред; рассмотрены механизмы пробоя газов и идеальных прозрачных твердых тел, тепловой неустойчивости на поглощающих неоднородностях, а также статистическая концепция оптического пробоя. Для научных работников, студентов и аспирантов, специализирующихся в области лазерной техники и технологии. Рекомендовано УМО по образованию в области приборостроения и оптотехники в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 200201 "Лазерная техника и лазерные технологии".
Доп.точки доступа:
Вейко, В. П.
Либенсон, М. Н.
Червяков, Г. Г.
Яковлев, Е. Б.
Физматлит
2.
Подробнее
Зегря, Г. Г.
Основы физики полупроводников [Электронный ресурс] : учебное пособие / Г. Г. Зегря, В. И. Перель. - Москва : Физматлит, 2009. - 336 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-5-9221-1005-1 : Б. ц.
ББК 31.2
Аннотация: В данном учебном пособии рассмотрены следующие темы: симметрия кристаллов и колебания кристаллической решетки; зонная структура полупроводников; кинетические явления в полупроводниках; оптические свойства полупроводников. Изложена современная концепция квантового эффекта Холла, одного из удивительных явлений физики полупроводников XX века. Большое внимание уделено сопоставлению физических моделей с экспериментальными результатами.Для студентов университетов и технических вузов, аспирантов, преподавателей и научных работников, знакомых с квантовой механикой и статистической физикой.
Доп.точки доступа:
Перель, В. И.
Физматлит
Зегря, Г. Г.
Основы физики полупроводников [Электронный ресурс] : учебное пособие / Г. Г. Зегря, В. И. Перель. - Москва : Физматлит, 2009. - 336 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-5-9221-1005-1 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: В данном учебном пособии рассмотрены следующие темы: симметрия кристаллов и колебания кристаллической решетки; зонная структура полупроводников; кинетические явления в полупроводниках; оптические свойства полупроводников. Изложена современная концепция квантового эффекта Холла, одного из удивительных явлений физики полупроводников XX века. Большое внимание уделено сопоставлению физических моделей с экспериментальными результатами.Для студентов университетов и технических вузов, аспирантов, преподавателей и научных работников, знакомых с квантовой механикой и статистической физикой.
Доп.точки доступа:
Перель, В. И.
Физматлит
3.
Подробнее
Лебедев, А. И.
Физика полупроводниковых приборов [Электронный ресурс] : учебное пособие / А. И. Лебедев. - Москва : Физматлит, 2008. - 488 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-5-9221-0995-6 : Б. ц.
ББК 32.852
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения.Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.
Доп.точки доступа:
Физматлит
Лебедев, А. И.
Физика полупроводниковых приборов [Электронный ресурс] : учебное пособие / А. И. Лебедев. - Москва : Физматлит, 2008. - 488 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-5-9221-0995-6 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения.Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.
Доп.точки доступа:
Физматлит
4.
Подробнее
Бурбаева, Н. В.
Сборник задач по полупроводниковой электронике [Электронный ресурс] : учебное пособие / Н. В. Бурбаева, Т. С. Днепровская. - Москва : Физматлит, 2006. - 166 с. : табл., схем. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 5-9221-0402-0 : Б. ц.
ББК 32.85
Аннотация: Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу Основы полупроводниковой электроники , читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на 6 глав: физические основы работы p-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы, полупроводниковые генераторы. В начале каждой главы дается краткий теоретический материал по соответствующей теме и разбираются типичные задачи. В конце каждой главы приведены ответы для всех задач. В приложениях даны характеристики наиболее часто применяемых транзисторов и проведены трудоемкие математические расчеты. Задачник рассчитан на студентов, обучающихся по соответствующим специальностям, и может быть полезен преподавателям при подготовке к занятиям.Допущено министерством образования РФ в качестве учебного пособия для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов "Информатика и вычислительная техника".
Доп.точки доступа:
Днепровская, Т. С.
Физматлит
Бурбаева, Н. В.
Сборник задач по полупроводниковой электронике [Электронный ресурс] : учебное пособие / Н. В. Бурбаева, Т. С. Днепровская. - Москва : Физматлит, 2006. - 166 с. : табл., схем. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 5-9221-0402-0 : Б. ц.
Аннотация: Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу Основы полупроводниковой электроники , читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на 6 глав: физические основы работы p-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы, полупроводниковые генераторы. В начале каждой главы дается краткий теоретический материал по соответствующей теме и разбираются типичные задачи. В конце каждой главы приведены ответы для всех задач. В приложениях даны характеристики наиболее часто применяемых транзисторов и проведены трудоемкие математические расчеты. Задачник рассчитан на студентов, обучающихся по соответствующим специальностям, и может быть полезен преподавателям при подготовке к занятиям.Допущено министерством образования РФ в качестве учебного пособия для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов "Информатика и вычислительная техника".
Доп.точки доступа:
Днепровская, Т. С.
Физматлит
5.
Подробнее
Слепушкин, В. В.
Локальный электрохимический анализ [Электронный ресурс] : монография / В. В. Слепушкин, Ю. В. Рублинецкая. - Москва : Физматлит, 2010. - 309 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - Библиогр. в кн. - ISBN 978-5-9221-1251-2 : Б. ц.
ББК 24.57
Аннотация: Изложены теоретические основы и техника эксперимента локального электрохимического анализа (ЛЭА) поверхности твердофазных материалов.Рассмотрены области практического использования методов ЛЭА для исследования и анализа поверхности металлов и сплавов, порошковых и композиционных материалов, а также поверхности печатных плат, полупроводниковых и наноструктур. Подробно описаны методики контроля качества защитных покрытий (толщина, состав, пористость, наличие дефектов), контроля оксидных и солевых слоев на поверхности печатных плат, контроля концентрационных профилей эпитаксиальных слоев в полупроводниковых структурах, исследования наноструктур, исследования процессов диффузии в металлических покрытиях и коррозионных процессов на поверхности металлических структур.Для специалистов в области физики и химии твердого тела, технологии электрохимических производств, для сотрудников центральных заводских лабораторий предприятий машиностроения и приборостроения, а также для аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Доп.точки доступа:
Рублинецкая, Ю. В.
Физматлит
Слепушкин, В. В.
Локальный электрохимический анализ [Электронный ресурс] : монография / В. В. Слепушкин, Ю. В. Рублинецкая. - Москва : Физматлит, 2010. - 309 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - Библиогр. в кн. - ISBN 978-5-9221-1251-2 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: Изложены теоретические основы и техника эксперимента локального электрохимического анализа (ЛЭА) поверхности твердофазных материалов.Рассмотрены области практического использования методов ЛЭА для исследования и анализа поверхности металлов и сплавов, порошковых и композиционных материалов, а также поверхности печатных плат, полупроводниковых и наноструктур. Подробно описаны методики контроля качества защитных покрытий (толщина, состав, пористость, наличие дефектов), контроля оксидных и солевых слоев на поверхности печатных плат, контроля концентрационных профилей эпитаксиальных слоев в полупроводниковых структурах, исследования наноструктур, исследования процессов диффузии в металлических покрытиях и коррозионных процессов на поверхности металлических структур.Для специалистов в области физики и химии твердого тела, технологии электрохимических производств, для сотрудников центральных заводских лабораторий предприятий машиностроения и приборостроения, а также для аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Доп.точки доступа:
Рублинецкая, Ю. В.
Физматлит
6.
Подробнее
Физика [Электронный ресурс] : учебное пособие / Физматлит. - Москва : Физматлит, 2005 -
. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация.
Книга 5 : Основы квантовой физики : учебное пособие / А. Н. Леденев. - Москва : Физматлит, 2005. - 248 с. - ISBN 5-9221-0465-4 : Б. ц.
ББК 22.3
Аннотация: Основу настоящего курса физики, издаваемого в пяти книгах, составляют лекции, читаемые автором слушателям Института криптографии, связи и информатики Академии ФСБ России. Данная книга посвящена атомной физике и физике твердого тела, затрагиваются некоторые другие вопросы. Рассмотрены следующие темы: элементы специальной теории относительности; теория строения атома; основы квантовой статистики; равновесное тепловое излучение; тепловые и электрические свойства кристаллов, проводники и полупроводники; лазеры. Изложение ведется на основе квантовых представлений. В соответствии с программой дисциплины «Физика» дается краткое, но достаточно строгое изложение учебного материала в виде системы физических понятий, определений, законов и теорем. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности «Информатика и вычислительная техника».
Доп.точки доступа:
Физматлит
Физика [Электронный ресурс] : учебное пособие / Физматлит. - Москва : Физматлит, 2005 -
. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация.
Книга 5 : Основы квантовой физики : учебное пособие / А. Н. Леденев. - Москва : Физматлит, 2005. - 248 с. - ISBN 5-9221-0465-4 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: Основу настоящего курса физики, издаваемого в пяти книгах, составляют лекции, читаемые автором слушателям Института криптографии, связи и информатики Академии ФСБ России. Данная книга посвящена атомной физике и физике твердого тела, затрагиваются некоторые другие вопросы. Рассмотрены следующие темы: элементы специальной теории относительности; теория строения атома; основы квантовой статистики; равновесное тепловое излучение; тепловые и электрические свойства кристаллов, проводники и полупроводники; лазеры. Изложение ведется на основе квантовых представлений. В соответствии с программой дисциплины «Физика» дается краткое, но достаточно строгое изложение учебного материала в виде системы физических понятий, определений, законов и теорем. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности «Информатика и вычислительная техника».
Доп.точки доступа:
Физматлит
7.
Подробнее
Каспаров, К. Н.
Фотоэмиссионный анализ оптического излучения [Электронный ресурс] : научная литература / К. Н. Каспаров. - Минск : Белорусская наука, 2011. - 178 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-985-08-1251-3 : Б. ц.
ББК 28-634
Аннотация: Фотоэмиссионный анализ излучения основан на зависимости распределения фотоэлектронов внешнего фотоэффекта по энергиям от распределения фотонов в спектре излучения. Экспериментально решена обратная некорректно поставленная задача восстановления сплошных и линейчатых спектров чисто электронным способом без применения каких-либо оптических средств. Излучение объекта используется в телесном угле вплоть до 2π, световые потоки 10–8–10–10 Вт. Идентификация монохроматического излучения фото- и катодолюминесценции слоистых эпитаксиальных полупроводниковых структур позволила за счёт увеличения контраста в растровом электронном микроскопе обнаружить и определить состав слоев при уровне световых потоков ~ 10–10 Вт. Анализ теплового излучения позволяет измерять интегральную цветовую температуру объекта с временным разрешением 10–6 с при методической погрешности измерений ~ 0,3 %. Рассмотрены требования, предъявляемые к датчику для выполнения фотоэмиссионного анализа излучения.
Доп.точки доступа:
Белорусская, наука
Каспаров, К. Н.
Фотоэмиссионный анализ оптического излучения [Электронный ресурс] : научная литература / К. Н. Каспаров. - Минск : Белорусская наука, 2011. - 178 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 978-985-08-1251-3 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: Фотоэмиссионный анализ излучения основан на зависимости распределения фотоэлектронов внешнего фотоэффекта по энергиям от распределения фотонов в спектре излучения. Экспериментально решена обратная некорректно поставленная задача восстановления сплошных и линейчатых спектров чисто электронным способом без применения каких-либо оптических средств. Излучение объекта используется в телесном угле вплоть до 2π, световые потоки 10–8–10–10 Вт. Идентификация монохроматического излучения фото- и катодолюминесценции слоистых эпитаксиальных полупроводниковых структур позволила за счёт увеличения контраста в растровом электронном микроскопе обнаружить и определить состав слоев при уровне световых потоков ~ 10–10 Вт. Анализ теплового излучения позволяет измерять интегральную цветовую температуру объекта с временным разрешением 10–6 с при методической погрешности измерений ~ 0,3 %. Рассмотрены требования, предъявляемые к датчику для выполнения фотоэмиссионного анализа излучения.
Доп.точки доступа:
Белорусская, наука
8.
Подробнее
Кузовкин, В. А.
Электроника. Электрофизические основы, микросхемотехника, приборы и устройства [Электронный ресурс] : учебник / В. А. Кузовкин. - Москва : Логос, 2011. - 328 с. - (Новая Университетская Библиотека). - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 5-98704-025-6 : Б. ц.
ББК 32.85
Аннотация: Рассмотрены принципы построения, основы функционирования, характеристики и способы описания электронных приборов и устройств. Приведены базовые методы анализа сигналов в электронных системах. Показаны электрофизические явления и эффекты, заложенные в основу создания полупроводниковых оптоэлектронных приборов; представлены способы построения элементной базы аналоговых и цифровых устройств и даны принципы действия информационных и силовых полупроводниковых преобразователей, а также сложных электронных устройств и средств отображения.Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по инженерно-техническим направлениям и специальностям. Представляет интерес для специалистов, разрабатывающих изделия с электронным управлением.
Доп.точки доступа:
Литературное, агентство
Кузовкин, В. А.
Электроника. Электрофизические основы, микросхемотехника, приборы и устройства [Электронный ресурс] : учебник / В. А. Кузовкин. - Москва : Логос, 2011. - 328 с. - (Новая Университетская Библиотека). - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - ISBN 5-98704-025-6 : Б. ц.
| УДК |
Аннотация: Рассмотрены принципы построения, основы функционирования, характеристики и способы описания электронных приборов и устройств. Приведены базовые методы анализа сигналов в электронных системах. Показаны электрофизические явления и эффекты, заложенные в основу создания полупроводниковых оптоэлектронных приборов; представлены способы построения элементной базы аналоговых и цифровых устройств и даны принципы действия информационных и силовых полупроводниковых преобразователей, а также сложных электронных устройств и средств отображения.Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по инженерно-техническим направлениям и специальностям. Представляет интерес для специалистов, разрабатывающих изделия с электронным управлением.
Доп.точки доступа:
Литературное, агентство
9.
Подробнее
Гольдаде, В. А.
Физика конденсированного состояния [Электронный ресурс] : монография / В. А. Гольдаде, Л. С. Пинчук ; ред. Н. К. Мышкин. - Минск : Белорусская наука, 2009. - 648 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - Библиогр.: с. 647-648. - Б. ц.
ББК 22.35
Аннотация: В книге изложены основные разделы физики конденсированного состояния. На основании понятий дальнего и ближнего порядков рассмотрена структура вещества в твердом и жидком состояниях. Изложены основы зонной теории твердых тел и квантово-механический подход к изучению структуры и свойств конденсированных сред. Описаны основные свойства конденсированных тел (механические, электрические, магнитные, оптические), термодинамика и явления переноса, взаимодействие излучений с веществом. Рассмотрен особый тип конденсированных тел – полимеры, демонстрирующие многообразие надмолекулярных структур, специфические физические состояния и реологические механизмы проявления механических свойств. Описаны методы экспериментального изучения конденсированных сред. Книга содержит большую совокупность физических терминов, включающую практически всю номенклатуру понятий физики конденсированного состояния.Предназначена главным образом для аспирантов и студентов, специализирующихся в физике конденсированных сред. Она будет полезна при изучении курсов общей физики, физики магнетизма, оптики, физики полупроводников и диэлектриков.
Доп.точки доступа:
Пинчук, Л. С.
Белорусская, наука
Мышкин, Н. \ред.\
Гольдаде, В. А.
Физика конденсированного состояния [Электронный ресурс] : монография / В. А. Гольдаде, Л. С. Пинчук ; ред. Н. К. Мышкин. - Минск : Белорусская наука, 2009. - 648 с. - Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация. - Библиогр.: с. 647-648. - Б. ц.
| УДК |
Аннотация: В книге изложены основные разделы физики конденсированного состояния. На основании понятий дальнего и ближнего порядков рассмотрена структура вещества в твердом и жидком состояниях. Изложены основы зонной теории твердых тел и квантово-механический подход к изучению структуры и свойств конденсированных сред. Описаны основные свойства конденсированных тел (механические, электрические, магнитные, оптические), термодинамика и явления переноса, взаимодействие излучений с веществом. Рассмотрен особый тип конденсированных тел – полимеры, демонстрирующие многообразие надмолекулярных структур, специфические физические состояния и реологические механизмы проявления механических свойств. Описаны методы экспериментального изучения конденсированных сред. Книга содержит большую совокупность физических терминов, включающую практически всю номенклатуру понятий физики конденсированного состояния.Предназначена главным образом для аспирантов и студентов, специализирующихся в физике конденсированных сред. Она будет полезна при изучении курсов общей физики, физики магнетизма, оптики, физики полупроводников и диэлектриков.
Доп.точки доступа:
Пинчук, Л. С.
Белорусская, наука
Мышкин, Н. \ред.\
Page 1, Results: 9