Choice of metadata IPR SMART
Page 1, Results: 1
Отмеченные записи: 0
1.
More
99108
Основы силовой электроники / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2019. - 424 с. - ISBN 978-5-94836-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.844
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- динисторы -- силовая электроника -- термобатареи -- тиристоры
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Доп.точки доступа:
Белоус, А. И.
Солодуха, В. А.
Ефименко, С. А.
Пилипенко, В. А.
Основы силовой электроники / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2019. - 424 с. - ISBN 978-5-94836-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- динисторы -- силовая электроника -- термобатареи -- тиристоры
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Доп.точки доступа:
Белоус, А. И.
Солодуха, В. А.
Ефименко, С. А.
Пилипенко, В. А.
Page 1, Results: 1