Choice of metadata IPR SMART
Page 1, Results: 3
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
Берлин, Е. В.
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения : учебное пособие / Берлин Е. В. - Москва : Техносфера, 2018. - 464 с. - ISBN 978-5-94836-519-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.333
Кл.слова (ненормированные):
высокоплотная плазма -- индуктивные источники -- ионный ток -- плотность плазмы -- электрод
Аннотация: Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10¹¹-10¹² см‾³), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10‾²2÷10‾¹ Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
Доп.точки доступа:
Григорьев, В. Ю.
Сейдман, Л. А.
Берлин, Е. В.
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения : учебное пособие / Берлин Е. В. - Москва : Техносфера, 2018. - 464 с. - ISBN 978-5-94836-519-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
высокоплотная плазма -- индуктивные источники -- ионный ток -- плотность плазмы -- электрод
Аннотация: Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10¹¹-10¹² см‾³), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10‾²2÷10‾¹ Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
Доп.точки доступа:
Григорьев, В. Ю.
Сейдман, Л. А.
2.
Подробнее
Бодров, Е. Э.
Основы технологии электронной компонентной базы : учебное пособие / Бодров Е. Э. - Москва, Вологда : Инфра-Инженерия, 2022. - 204 с. - ISBN 978-5-9729-0846-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.844
Кл.слова (ненормированные):
интегральные микросхемы -- легирование -- металлизация -- фотолитография
Аннотация: Рассмотрены основы технологии производства интегральных микросхем. Приведены технологические операции изготовления основных элементов микро- и наноэлектроники, такие как производство полупроводниковых пластин, их легирование, нанесение тонких пленок, фотолитография, травление, металлизация, контроль процесса производства. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».
Бодров, Е. Э.
Основы технологии электронной компонентной базы : учебное пособие / Бодров Е. Э. - Москва, Вологда : Инфра-Инженерия, 2022. - 204 с. - ISBN 978-5-9729-0846-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральные микросхемы -- легирование -- металлизация -- фотолитография
Аннотация: Рассмотрены основы технологии производства интегральных микросхем. Приведены технологические операции изготовления основных элементов микро- и наноэлектроники, такие как производство полупроводниковых пластин, их легирование, нанесение тонких пленок, фотолитография, травление, металлизация, контроль процесса производства. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».
3.
Подробнее
Металлография : учебное пособие / Белова И. В. - Комсомольск-на-Амуре : Комсомольский-на-Амуре государственный университет, 2023. - 138 с. - ISBN 978-5-7765-1560-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 34.2
Кл.слова (ненормированные):
вырезка -- материаловедение -- металл -- металлография -- полирование -- травление -- шлиф -- шлифование
Аннотация: В учебном пособии изложены основные этапы подготовки шлифов для металлографического исследования: вырезка, закрепление, шлифование, полирование и травление. Используя материалы учебного пособия, можно не только теоретически изучить принципы пробоподготовки шлифов, но и успешно применить их на практике. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 22.03.01 – «Материаловедение и технологии материалов». Может быть также полезно магистрам направления 22.04.01 – «Материаловедение и технологии материалов» при подготовке исследуемых металлических образцов для написания магистерской диссертации.
Доп.точки доступа:
Белова, И. В.
Бурдасова, А. А.
Башков, О. В.
Башкова, Т. И.
Беловой, И. В. \ред.\
Металлография : учебное пособие / Белова И. В. - Комсомольск-на-Амуре : Комсомольский-на-Амуре государственный университет, 2023. - 138 с. - ISBN 978-5-7765-1560-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
вырезка -- материаловедение -- металл -- металлография -- полирование -- травление -- шлиф -- шлифование
Аннотация: В учебном пособии изложены основные этапы подготовки шлифов для металлографического исследования: вырезка, закрепление, шлифование, полирование и травление. Используя материалы учебного пособия, можно не только теоретически изучить принципы пробоподготовки шлифов, но и успешно применить их на практике. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 22.03.01 – «Материаловедение и технологии материалов». Может быть также полезно магистрам направления 22.04.01 – «Материаловедение и технологии материалов» при подготовке исследуемых металлических образцов для написания магистерской диссертации.
Доп.точки доступа:
Белова, И. В.
Бурдасова, А. А.
Башков, О. В.
Башкова, Т. И.
Беловой, И. В. \ред.\
Page 1, Results: 3