Choice of metadata IPR SMART
Page 2, Results: 37
Report on unfulfilled requests: 0
11.
Подробнее
Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроники / Достанко А. П. - Минск : Белорусская наука, 2020. - 261 с. - ISBN 978-985-08-2521-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
инновационная технология -- микроэлектроника -- оборудование -- субмикронная электроника
Аннотация: В книге рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области инновационных технологий и оборудования для микроэлектронного производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.
Доп.точки доступа:
Достанко, А. П.
Аваков, С. М.
Голосов, Д. А.
Емельянов, Е. В.
Завадский, С. М.
Колос, В. В.
Ланин, В. Л.
Мадвейко, С. И.
Мельников, С. Н.
Никитюк, Ю. В.
Петлицкий, А. Н.
Петухов, И. Б.
Пилипенко, В. А.
Плебанович, В. И.
Солодуха, В. А.
Соколов, С. И.
Телеш, Е. В.
Шершнев, Е. Б.
Достанко, А. П. \ред.\
Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроники / Достанко А. П. - Минск : Белорусская наука, 2020. - 261 с. - ISBN 978-985-08-2521-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
инновационная технология -- микроэлектроника -- оборудование -- субмикронная электроника
Аннотация: В книге рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области инновационных технологий и оборудования для микроэлектронного производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.
Доп.точки доступа:
Достанко, А. П.
Аваков, С. М.
Голосов, Д. А.
Емельянов, Е. В.
Завадский, С. М.
Колос, В. В.
Ланин, В. Л.
Мадвейко, С. И.
Мельников, С. Н.
Никитюк, Ю. В.
Петлицкий, А. Н.
Петухов, И. Б.
Пилипенко, В. А.
Плебанович, В. И.
Солодуха, В. А.
Соколов, С. И.
Телеш, Е. В.
Шершнев, Е. Б.
Достанко, А. П. \ред.\
12.
Подробнее
Белоус, А. И.
Основы проектирования субмикронных микросхем / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2020. - 782 с. - ISBN 978-5-94836-603-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.844
Кл.слова (ненормированные):
кибербезопасная микросхема -- микроэлектроника -- сквозное проектирование -- субмикронная микросхема
Аннотация: В объеме 14 глав одной книги детально и последовательно рассмотрен весь комплекс взаимосвязанных теоретических и практических аспектов сквозного проектирования и организации производства кремниевых субмикронных микросхем: теоретические основы работы полевых и биполярных транзисторов, методы и особенности конструктивно-схематического проектирования, базовые схемотехнические и системотехнические решения биполярных, КМОП-, БиКМОП- и КНИ-микросхем, методы и средства повышения их радиационной стойкости, стандартные библиотеки проектирования и типовые маршруты проектирования. Впервые в отечественной научно-технической литературе здесь детально рассмотрены методы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением, а также основные принципы и методы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле. Детально рассмотрены современные методы и средства управления качеством изготовления субмикронных микросхем, современные технологии корпусирования микросхем, систем-на-кристалле и систем в корпусе. Отдельная глава посвящена анализу состояния и тенденций развития современной микроэлектроники, включая методологический анализ существующих проблем и новых угроз. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов и преподавателей технических университетов, а также инженеров и менеджеров, специализирующихся в области разработки и организации производства субмикронных микросхем.
Доп.точки доступа:
Красников, Г. Я.
Солодуха, В. А.
Белоус, А. И.
Основы проектирования субмикронных микросхем / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2020. - 782 с. - ISBN 978-5-94836-603-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
кибербезопасная микросхема -- микроэлектроника -- сквозное проектирование -- субмикронная микросхема
Аннотация: В объеме 14 глав одной книги детально и последовательно рассмотрен весь комплекс взаимосвязанных теоретических и практических аспектов сквозного проектирования и организации производства кремниевых субмикронных микросхем: теоретические основы работы полевых и биполярных транзисторов, методы и особенности конструктивно-схематического проектирования, базовые схемотехнические и системотехнические решения биполярных, КМОП-, БиКМОП- и КНИ-микросхем, методы и средства повышения их радиационной стойкости, стандартные библиотеки проектирования и типовые маршруты проектирования. Впервые в отечественной научно-технической литературе здесь детально рассмотрены методы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением, а также основные принципы и методы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле. Детально рассмотрены современные методы и средства управления качеством изготовления субмикронных микросхем, современные технологии корпусирования микросхем, систем-на-кристалле и систем в корпусе. Отдельная глава посвящена анализу состояния и тенденций развития современной микроэлектроники, включая методологический анализ существующих проблем и новых угроз. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов и преподавателей технических университетов, а также инженеров и менеджеров, специализирующихся в области разработки и организации производства субмикронных микросхем.
Доп.точки доступа:
Красников, Г. Я.
Солодуха, В. А.
13.
Подробнее
Мартин, Праттон
Введение в физику поверхности : учебное пособие / Мартин Праттон. - Ижевск : Регулярная и хаотическая динамика, Институт компьютерных исследований, 2019. - 254 с. - ISBN 978-5-4344-0788-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.3
Кл.слова (ненормированные):
атом -- молекула -- поверхностное свойство -- поверхность -- структура -- физика -- химический состав -- электрон
Аннотация: Более 30 лет исследования в области физики поверхности продолжают лавинообразно нарастать, вместе с этим возрастает их роль как для науки, так и для технологии. Книга М. Браттона представляет собой широкое стимулирующее введение в эту область физики. Она также содержит обширную библиографию последних достижений в физике поверхности. Рассчитана на студентов и аспирантов, готовящихся к работе в науке, будет полезна преподавателям курсов физики поверхности, микроэлектроники.
Доп.точки доступа:
Кормилец, В. И. \пер.\
Трапезникова, В. А. \ред.\
Мартин, Праттон
Введение в физику поверхности : учебное пособие / Мартин Праттон. - Ижевск : Регулярная и хаотическая динамика, Институт компьютерных исследований, 2019. - 254 с. - ISBN 978-5-4344-0788-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
атом -- молекула -- поверхностное свойство -- поверхность -- структура -- физика -- химический состав -- электрон
Аннотация: Более 30 лет исследования в области физики поверхности продолжают лавинообразно нарастать, вместе с этим возрастает их роль как для науки, так и для технологии. Книга М. Браттона представляет собой широкое стимулирующее введение в эту область физики. Она также содержит обширную библиографию последних достижений в физике поверхности. Рассчитана на студентов и аспирантов, готовящихся к работе в науке, будет полезна преподавателям курсов физики поверхности, микроэлектроники.
Доп.точки доступа:
Кормилец, В. И. \пер.\
Трапезникова, В. А. \ред.\
14.
Подробнее
Чернышев, А. П.
Введение в физику твердого тела и нанофизику. Специальный курс физики. Конспект лекций : учебное пособие / Чернышев А. П. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 88 с. - ISBN 978-5-7782-4048-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.3
Кл.слова (ненормированные):
квантовая механика -- квантовая оптика -- кристаллическая решетка -- нанофизика -- рентгеновский луч -- твердое тело -- физика
Аннотация: В настоящее время идет быстрое развитие элементной базы микроэлектроники. Элементная база изменяется на всех уровнях характерных размеров: от нанометровых элементов микроэлектроники, построенных с применением наночастиц, нанопроволоки и тонких пленок, до электронных компонентов с геометрическими размерами элементов порядка нескольких микрометров. Специальный курс физики позволяет познакомить студентов с основными физическими принципами, положенными в основу разработки и использования современной элементной базы микроэлектроники. Для этого студенты изучают соответствующие разделы квантовой механики, физики твердого тела и квантовой оптики. Настоящее пособие призвано помочь в изучении специального курса физики как на аудиторных занятиях, так и при самостоятельном изучении. Пособие предназначено для студентов МТФ, обучающихся по направлению 15.03.02 «Технологические машины и оборудование» и 15.03.05 «Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств» дневной формы обучения.
Чернышев, А. П.
Введение в физику твердого тела и нанофизику. Специальный курс физики. Конспект лекций : учебное пособие / Чернышев А. П. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 88 с. - ISBN 978-5-7782-4048-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
квантовая механика -- квантовая оптика -- кристаллическая решетка -- нанофизика -- рентгеновский луч -- твердое тело -- физика
Аннотация: В настоящее время идет быстрое развитие элементной базы микроэлектроники. Элементная база изменяется на всех уровнях характерных размеров: от нанометровых элементов микроэлектроники, построенных с применением наночастиц, нанопроволоки и тонких пленок, до электронных компонентов с геометрическими размерами элементов порядка нескольких микрометров. Специальный курс физики позволяет познакомить студентов с основными физическими принципами, положенными в основу разработки и использования современной элементной базы микроэлектроники. Для этого студенты изучают соответствующие разделы квантовой механики, физики твердого тела и квантовой оптики. Настоящее пособие призвано помочь в изучении специального курса физики как на аудиторных занятиях, так и при самостоятельном изучении. Пособие предназначено для студентов МТФ, обучающихся по направлению 15.03.02 «Технологические машины и оборудование» и 15.03.05 «Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств» дневной формы обучения.
15.
Подробнее
Перинский, В. В.
Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.3
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.
Перинский, В. В.
Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.
16.
Подробнее
Васильев, В. Ю.
Современное производство изделий микроэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 88 с. - ISBN 978-5-7782-3907-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 65.30
Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- микроэлектроника -- полупроводниковое предприятие -- производство -- чип -- экономика
Аннотация: В учебном пособии рассмотрена совокупность вопросов, связанных с организацией современной микроэлектронной отрасли и производства интегральных микросхем (ИМС). Основной стремительного роста микроэлектронной индустрии является открытый конкурентный заинтересованный рынок, который развивается за счет возникновения и формирования новых потребностей у потребителей, инвестиций в исследования материалов и технологий, развития новых технологий, производств, аппаратуры. Имеют место глобализация микроэлектронной индустрии и объединение усилий в рамках альянсов и ассоциаций для решения общих задач. Дается общее представление об устройстве типичного полупроводникового предприятия по производству чипов ИМС. Рассмотрены тенденции проектирования современного оборудования для производства ИМС. Имеет место постепенный перенос к изготовителям оборудования работ по разработке и интеграции отдельных технологических процессов, а также сервисного обслуживания потребителей. Кратко охарактеризована основная деятельность инженера на предприятии по производству ИМС. Главной задачей инженеров в производстве является повышение качества выпускаемой продукции. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием технологических процессов производства изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для инженеров и технологов производства ИМС.
Васильев, В. Ю.
Современное производство изделий микроэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 88 с. - ISBN 978-5-7782-3907-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- микроэлектроника -- полупроводниковое предприятие -- производство -- чип -- экономика
Аннотация: В учебном пособии рассмотрена совокупность вопросов, связанных с организацией современной микроэлектронной отрасли и производства интегральных микросхем (ИМС). Основной стремительного роста микроэлектронной индустрии является открытый конкурентный заинтересованный рынок, который развивается за счет возникновения и формирования новых потребностей у потребителей, инвестиций в исследования материалов и технологий, развития новых технологий, производств, аппаратуры. Имеют место глобализация микроэлектронной индустрии и объединение усилий в рамках альянсов и ассоциаций для решения общих задач. Дается общее представление об устройстве типичного полупроводникового предприятия по производству чипов ИМС. Рассмотрены тенденции проектирования современного оборудования для производства ИМС. Имеет место постепенный перенос к изготовителям оборудования работ по разработке и интеграции отдельных технологических процессов, а также сервисного обслуживания потребителей. Кратко охарактеризована основная деятельность инженера на предприятии по производству ИМС. Главной задачей инженеров в производстве является повышение качества выпускаемой продукции. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием технологических процессов производства изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для инженеров и технологов производства ИМС.
17.
Подробнее
Федорец, В. Н.
Технологии защиты микросхем от обратного проектирования в контексте информационной безопасности / Федорец В. Н. - Москва : Техносфера, 2019 ; Воронеж : Техносфера, 2019. - 216 с. - ISBN 978-5-94836-562-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
защита микросхем -- информационная безопасность -- микроэлектроника
Аннотация: В книге рассмотрены вопросы обеспечения информационной безопасности современной электронной компонентной базы, используемой при разработке радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Особое внимание уделено вопросам уязвимости, возникающим при разработке и изготовлении микросхем, создаваемых по fabless-технологии. Авторами рассмотрены инженерно-технические и организационно-методические решения по защите от обратного проектирования современных микросхем. Книга может быть полезна специалистам в области микроэлектроники, разработчикам отечественной элементной базы, а также студентам, обучающимся по специальностям, связанным с разработкой микросистем и информационной безопасностью.
Доп.точки доступа:
Белов, Е. Н.
Балыбин, С. В.
Федорец, В. Н.
Технологии защиты микросхем от обратного проектирования в контексте информационной безопасности / Федорец В. Н. - Москва : Техносфера, 2019 ; Воронеж : Техносфера, 2019. - 216 с. - ISBN 978-5-94836-562-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
защита микросхем -- информационная безопасность -- микроэлектроника
Аннотация: В книге рассмотрены вопросы обеспечения информационной безопасности современной электронной компонентной базы, используемой при разработке радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Особое внимание уделено вопросам уязвимости, возникающим при разработке и изготовлении микросхем, создаваемых по fabless-технологии. Авторами рассмотрены инженерно-технические и организационно-методические решения по защите от обратного проектирования современных микросхем. Книга может быть полезна специалистам в области микроэлектроники, разработчикам отечественной элементной базы, а также студентам, обучающимся по специальностям, связанным с разработкой микросистем и информационной безопасностью.
Доп.точки доступа:
Белов, Е. Н.
Балыбин, С. В.
18.
Подробнее
Васильев, В. Ю.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 107 с. - ISBN 978-5-7782-3915-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- неорганический материал -- тонкая пленка
Аннотация: Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов осаждением из газовой фазы для использования в технологиях микро- и наноэлектроники. Пособие создано на основе исследовательской и публикационной активности автора в течение 40 лет; развиты и обобщены результаты исследований, начатых в 1970-х годах в Институте физики полупроводников Академии наук СССР и исследовательских отделах предприятий электронной промышленности г. Новосибирска. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с методологией и технологией получения высококачественных ТП для изделий микроэлектроники, показана возрастающая роль ТП технологий в технологических маршрутах изготовления изделий, рассмотрены тенденции развития, типы и характеристики оборудования для процессов производства ИМС, технологические процессы получения различных ТП материалов на основе кремния, свойства ТП материалов. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа: 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется также для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием физико-химических основ технологических процессов изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов по специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для технологов производства ИМС, исследователей в области нанотехнологий.
Васильев, В. Ю.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 107 с. - ISBN 978-5-7782-3915-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- неорганический материал -- тонкая пленка
Аннотация: Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов осаждением из газовой фазы для использования в технологиях микро- и наноэлектроники. Пособие создано на основе исследовательской и публикационной активности автора в течение 40 лет; развиты и обобщены результаты исследований, начатых в 1970-х годах в Институте физики полупроводников Академии наук СССР и исследовательских отделах предприятий электронной промышленности г. Новосибирска. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с методологией и технологией получения высококачественных ТП для изделий микроэлектроники, показана возрастающая роль ТП технологий в технологических маршрутах изготовления изделий, рассмотрены тенденции развития, типы и характеристики оборудования для процессов производства ИМС, технологические процессы получения различных ТП материалов на основе кремния, свойства ТП материалов. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа: 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется также для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием физико-химических основ технологических процессов изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов по специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для технологов производства ИМС, исследователей в области нанотехнологий.
19.
Подробнее
Берлин, Е. В.
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения : учебное пособие / Берлин Е. В. - Москва : Техносфера, 2018. - 464 с. - ISBN 978-5-94836-519-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.333
Кл.слова (ненормированные):
высокоплотная плазма -- индуктивные источники -- ионный ток -- плотность плазмы -- электрод
Аннотация: Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10¹¹-10¹² см‾³), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10‾²2÷10‾¹ Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
Доп.точки доступа:
Григорьев, В. Ю.
Сейдман, Л. А.
Берлин, Е. В.
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения : учебное пособие / Берлин Е. В. - Москва : Техносфера, 2018. - 464 с. - ISBN 978-5-94836-519-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
высокоплотная плазма -- индуктивные источники -- ионный ток -- плотность плазмы -- электрод
Аннотация: Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10¹¹-10¹² см‾³), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10‾²2÷10‾¹ Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
Доп.точки доступа:
Григорьев, В. Ю.
Сейдман, Л. А.
20.
Подробнее
Касьянов, А. О.
Приборы и методы функциональной микроэлектроники : учебное пособие / Касьянов А. О. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 99 с. - ISBN 978-5-9275-2861-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.845
Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектроника -- волновое уравнение -- лчм-сигнал -- пав релея -- прибор -- пьезоэлектрический кристалл -- упругая волна -- уравнение движения -- функциональная микросхема -- функциональная микроэлектроника
Аннотация: Излагаются физические основы такого современного бурно развивающегося направления науки и техники, как функциональная микроэлектроника в части акустоэлектроники и обработка сигналов с помощью упругих волн, распространяющихся в пьезоэлектрических кристаллах. Показано, что развитие акустоэлектроники связано с разработкой сверхминиатюрных устройств, предназначенных для формирования, фильтрации и аналоговой математической обработки сигналов. Несмотря на то, что возможность и целесообразность использования упругих волн для обработки сигналов обусловлено их низкой скоростью по сравнению со скоростью света, большинство вопросов, подробно рассмотренных в данном пособии, ранее в учебной литературе не рассматривались и освещались лишь в периодических изданиях и трудах научных конференций, которые были практически недоступны студентам. Целесообразность издания настоящего пособия, имеющего междисциплинарный характер, обусловлена необходимостью обеспечения учебного процесса по образовательным программам бакалавриата и специалитета по дисциплинам: «Электроника» и «Специальные радиоэлектронные устройства». Предназначено для студентов специальности 11.05.01 - «Радиоэлектронные системы и комплексы» и студентов направления подготовки - 11.05.02 «Инфокоммуникационные технологии».
Касьянов, А. О.
Приборы и методы функциональной микроэлектроники : учебное пособие / Касьянов А. О. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 99 с. - ISBN 978-5-9275-2861-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектроника -- волновое уравнение -- лчм-сигнал -- пав релея -- прибор -- пьезоэлектрический кристалл -- упругая волна -- уравнение движения -- функциональная микросхема -- функциональная микроэлектроника
Аннотация: Излагаются физические основы такого современного бурно развивающегося направления науки и техники, как функциональная микроэлектроника в части акустоэлектроники и обработка сигналов с помощью упругих волн, распространяющихся в пьезоэлектрических кристаллах. Показано, что развитие акустоэлектроники связано с разработкой сверхминиатюрных устройств, предназначенных для формирования, фильтрации и аналоговой математической обработки сигналов. Несмотря на то, что возможность и целесообразность использования упругих волн для обработки сигналов обусловлено их низкой скоростью по сравнению со скоростью света, большинство вопросов, подробно рассмотренных в данном пособии, ранее в учебной литературе не рассматривались и освещались лишь в периодических изданиях и трудах научных конференций, которые были практически недоступны студентам. Целесообразность издания настоящего пособия, имеющего междисциплинарный характер, обусловлена необходимостью обеспечения учебного процесса по образовательным программам бакалавриата и специалитета по дисциплинам: «Электроника» и «Специальные радиоэлектронные устройства». Предназначено для студентов специальности 11.05.01 - «Радиоэлектронные системы и комплексы» и студентов направления подготовки - 11.05.02 «Инфокоммуникационные технологии».
Page 2, Results: 37