Choice of metadata IPR SMART
Page 6, Results: 173
Report on unfulfilled requests: 0
51.
Подробнее
Шибаев, С. С.
Методы и средства акустооптических измерений : учебное пособие / Шибаев С. С. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 112 с. - ISBN 978-5-9275-2727-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.854
Кл.слова (ненормированные):
акустическая волна -- акустооптический дефлектор -- акустооптический процессор -- акустооптическое измерение -- инерционность фотодиода -- оптический процессор -- оптическое излучение -- фотоприемник
Аннотация: Описаны структуры акустооптических измерительных процессоров. Приведен перечень основных параметров, характеризующий особенности работы, указаны способы оптимизации их технических характеристик. Проанализирована совокупность факторов, влияющая на точностные характеристики акустооптических измерений. Приведено описание автоматизированного стенда, позволяющего измерить параметры оптических элементов процессора и временную стабильность. Работа предназначена для студентов укрупнённой группы направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи».
Доп.точки доступа:
Помазанов, А. В.
Волик, Д. П.
Шибаев, С. С.
Методы и средства акустооптических измерений : учебное пособие / Шибаев С. С. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 112 с. - ISBN 978-5-9275-2727-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
акустическая волна -- акустооптический дефлектор -- акустооптический процессор -- акустооптическое измерение -- инерционность фотодиода -- оптический процессор -- оптическое излучение -- фотоприемник
Аннотация: Описаны структуры акустооптических измерительных процессоров. Приведен перечень основных параметров, характеризующий особенности работы, указаны способы оптимизации их технических характеристик. Проанализирована совокупность факторов, влияющая на точностные характеристики акустооптических измерений. Приведено описание автоматизированного стенда, позволяющего измерить параметры оптических элементов процессора и временную стабильность. Работа предназначена для студентов укрупнённой группы направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи».
Доп.точки доступа:
Помазанов, А. В.
Волик, Д. П.
52.
Подробнее
Моделирование конструкций и технологических процессов производства электронных средств : учебное пособие / Клунникова Ю. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 124 с. - ISBN 978-5-9275-2974-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
математическое моделирование -- моделирование конструкции -- регрессионная модель -- схемотехническая модель -- технологическая модель -- технологический процесс -- физико-топологическая модель -- функционально-логическая модель -- электронное средство -- электронное устройство
Аннотация: В учебном пособии излагаются основы моделирования конструкций и технологических процессов производства электронных средств в объеме, предусмотренном стандартом для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств». Пособие рекомендовано для студентов, обучающихся по данному направлению, а также для специалистов в области конструирования электронных средств.
Доп.точки доступа:
Клунникова, Ю. В.
Малюков, С. П.
Саенко, А. В.
Палий, А. В.
Моделирование конструкций и технологических процессов производства электронных средств : учебное пособие / Клунникова Ю. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 124 с. - ISBN 978-5-9275-2974-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
математическое моделирование -- моделирование конструкции -- регрессионная модель -- схемотехническая модель -- технологическая модель -- технологический процесс -- физико-топологическая модель -- функционально-логическая модель -- электронное средство -- электронное устройство
Аннотация: В учебном пособии излагаются основы моделирования конструкций и технологических процессов производства электронных средств в объеме, предусмотренном стандартом для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств». Пособие рекомендовано для студентов, обучающихся по данному направлению, а также для специалистов в области конструирования электронных средств.
Доп.точки доступа:
Клунникова, Ю. В.
Малюков, С. П.
Саенко, А. В.
Палий, А. В.
53.
Подробнее
Волощенко, П. Ю.
Моделирование нелинейных электрических процессов в элементах электронной волновой цепи : учебное пособие / Волощенко П. Ю. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 116 с. - ISBN 978-5-9275-3038-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
волновая цепь -- моделирование процесса -- нелинейный процесс -- фотоэлектронная эмиссия -- электрический процесс -- электронная цепь -- электронная эмиссия -- электронный прибор -- электростатическая эмиссия -- эффект шоттки
Аннотация: В учебном пособии излагаются вопросы формализации инерционных и амплитудно-зависимых электрических процессов, наблюдаемых при одновременной циркуляции постоянного и переменного тока в сосредоточенных элементах электронной волновой цепи. Необходимость изучения нелинейных эффектов в них вызвана актуальностью создания резистивно-негатронных моделей систем двух-, трех- и многоэлектродных приборов СВЧ с электростатическим управлением. Приведенные схемы и аналитические соотношения позволяют без информационной избыточности и потери части исходных данных прогнозировать электромагнитные явления, например, в микровакуумных и полупроводниковых интегральных схемах гига- и терагерцового диапазонов. Подобное издание обеспечивает реализацию обязательных профессиональных компетенций, сформулированных в федеральных государственных образовательных стандартах подготовки бакалавров и магистров направлений 11.03.04, 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 13.03.02, 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника».
Доп.точки доступа:
Волощенко, Ю. П.
Волощенко, П. Ю.
Моделирование нелинейных электрических процессов в элементах электронной волновой цепи : учебное пособие / Волощенко П. Ю. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 116 с. - ISBN 978-5-9275-3038-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
волновая цепь -- моделирование процесса -- нелинейный процесс -- фотоэлектронная эмиссия -- электрический процесс -- электронная цепь -- электронная эмиссия -- электронный прибор -- электростатическая эмиссия -- эффект шоттки
Аннотация: В учебном пособии излагаются вопросы формализации инерционных и амплитудно-зависимых электрических процессов, наблюдаемых при одновременной циркуляции постоянного и переменного тока в сосредоточенных элементах электронной волновой цепи. Необходимость изучения нелинейных эффектов в них вызвана актуальностью создания резистивно-негатронных моделей систем двух-, трех- и многоэлектродных приборов СВЧ с электростатическим управлением. Приведенные схемы и аналитические соотношения позволяют без информационной избыточности и потери части исходных данных прогнозировать электромагнитные явления, например, в микровакуумных и полупроводниковых интегральных схемах гига- и терагерцового диапазонов. Подобное издание обеспечивает реализацию обязательных профессиональных компетенций, сформулированных в федеральных государственных образовательных стандартах подготовки бакалавров и магистров направлений 11.03.04, 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 13.03.02, 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника».
Доп.точки доступа:
Волощенко, Ю. П.
54.
Подробнее
Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Москва : Техносфера, 2018 ; Воронеж : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 31.2
Кл.слова (ненормированные):
гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.
Акчурин, Р. Х.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Москва : Техносфера, 2018 ; Воронеж : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.
55.
Подробнее
Касьянов, А. О.
Приборы и методы функциональной микроэлектроники : учебное пособие / Касьянов А. О. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 99 с. - ISBN 978-5-9275-2861-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.845
Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектроника -- волновое уравнение -- лчм-сигнал -- пав релея -- прибор -- пьезоэлектрический кристалл -- упругая волна -- уравнение движения -- функциональная микросхема -- функциональная микроэлектроника
Аннотация: Излагаются физические основы такого современного бурно развивающегося направления науки и техники, как функциональная микроэлектроника в части акустоэлектроники и обработка сигналов с помощью упругих волн, распространяющихся в пьезоэлектрических кристаллах. Показано, что развитие акустоэлектроники связано с разработкой сверхминиатюрных устройств, предназначенных для формирования, фильтрации и аналоговой математической обработки сигналов. Несмотря на то, что возможность и целесообразность использования упругих волн для обработки сигналов обусловлено их низкой скоростью по сравнению со скоростью света, большинство вопросов, подробно рассмотренных в данном пособии, ранее в учебной литературе не рассматривались и освещались лишь в периодических изданиях и трудах научных конференций, которые были практически недоступны студентам. Целесообразность издания настоящего пособия, имеющего междисциплинарный характер, обусловлена необходимостью обеспечения учебного процесса по образовательным программам бакалавриата и специалитета по дисциплинам: «Электроника» и «Специальные радиоэлектронные устройства». Предназначено для студентов специальности 11.05.01 - «Радиоэлектронные системы и комплексы» и студентов направления подготовки - 11.05.02 «Инфокоммуникационные технологии».
Касьянов, А. О.
Приборы и методы функциональной микроэлектроники : учебное пособие / Касьянов А. О. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 99 с. - ISBN 978-5-9275-2861-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектроника -- волновое уравнение -- лчм-сигнал -- пав релея -- прибор -- пьезоэлектрический кристалл -- упругая волна -- уравнение движения -- функциональная микросхема -- функциональная микроэлектроника
Аннотация: Излагаются физические основы такого современного бурно развивающегося направления науки и техники, как функциональная микроэлектроника в части акустоэлектроники и обработка сигналов с помощью упругих волн, распространяющихся в пьезоэлектрических кристаллах. Показано, что развитие акустоэлектроники связано с разработкой сверхминиатюрных устройств, предназначенных для формирования, фильтрации и аналоговой математической обработки сигналов. Несмотря на то, что возможность и целесообразность использования упругих волн для обработки сигналов обусловлено их низкой скоростью по сравнению со скоростью света, большинство вопросов, подробно рассмотренных в данном пособии, ранее в учебной литературе не рассматривались и освещались лишь в периодических изданиях и трудах научных конференций, которые были практически недоступны студентам. Целесообразность издания настоящего пособия, имеющего междисциплинарный характер, обусловлена необходимостью обеспечения учебного процесса по образовательным программам бакалавриата и специалитета по дисциплинам: «Электроника» и «Специальные радиоэлектронные устройства». Предназначено для студентов специальности 11.05.01 - «Радиоэлектронные системы и комплексы» и студентов направления подготовки - 11.05.02 «Инфокоммуникационные технологии».
56.
Подробнее
Ланге, П. К.
Современная микросхемотехника : лабораторный практикум / Ланге П. К. - Самара : Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2018. - 176 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
компаратор -- логарифмирующий преобразователь -- микросхемотехника -- операционный усилитель -- релаксационный генератор -- функциональный преобразователь -- цифровой фильтр
Аннотация: Рассмотрены теоретические и экспериментальные методы определения характеристик цепей современной микросхемотехники. Описана методика определения характеристик аналоговых, цифровых и микропроцессорных схем. Содержатся рекомендации по построению диаграмм сигналов в схемах. Предназначен для магистров, обучающихся по направлению 12.04.01 «Приборостроение», при изучении курса по дисциплине «Современная микросхемотехника». Может быть использовано при изучении курсов, связанных с электроникой, схемотехникой, а также с цифровыми схемами.
Ланге, П. К.
Современная микросхемотехника : лабораторный практикум / Ланге П. К. - Самара : Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2018. - 176 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
компаратор -- логарифмирующий преобразователь -- микросхемотехника -- операционный усилитель -- релаксационный генератор -- функциональный преобразователь -- цифровой фильтр
Аннотация: Рассмотрены теоретические и экспериментальные методы определения характеристик цепей современной микросхемотехники. Описана методика определения характеристик аналоговых, цифровых и микропроцессорных схем. Содержатся рекомендации по построению диаграмм сигналов в схемах. Предназначен для магистров, обучающихся по направлению 12.04.01 «Приборостроение», при изучении курса по дисциплине «Современная микросхемотехника». Может быть использовано при изучении курсов, связанных с электроникой, схемотехникой, а также с цифровыми схемами.
57.
Подробнее
Технологии субмикронных структур микроэлектроники / Достанко А. П. - Минск : Белорусская наука, 2018. - 271 с. - ISBN 978-985-08-2298-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- субмикронная структура -- технология -- электроника
Аннотация: Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.
Доп.точки доступа:
Достанко, А. П.
Бордусов, С. В.
Голосов, Д. А.
Завадский, С. М.
Колос, В. В.
Купо, А. Н.
Ланин, В. Л.
Лушакова, М. С.
Мадвейко, С. И.
Мельников, С. Н.
Петлицкий, А. Н.
Петухов, И. Б.
Солодуха, В. А.
Телеш, Е. В.
Достанко, А. П. \ред.\
Технологии субмикронных структур микроэлектроники / Достанко А. П. - Минск : Белорусская наука, 2018. - 271 с. - ISBN 978-985-08-2298-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- субмикронная структура -- технология -- электроника
Аннотация: Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.
Доп.точки доступа:
Достанко, А. П.
Бордусов, С. В.
Голосов, Д. А.
Завадский, С. М.
Колос, В. В.
Купо, А. Н.
Ланин, В. Л.
Лушакова, М. С.
Мадвейко, С. И.
Мельников, С. Н.
Петлицкий, А. Н.
Петухов, И. Б.
Солодуха, В. А.
Телеш, Е. В.
Достанко, А. П. \ред.\
58.
Подробнее
Борисов, Б. П.
Эволюция технологий электросвязи : учебное пособие: практикум / Борисов Б. П. - Ростов-на-Дону : Северо-Кавказский филиал Московского технического университета связи и информатики, 2018. - 83 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.88
Кл.слова (ненормированные):
системы коммутации -- телефонный аппарат -- технологии -- электросвязь
Аннотация: Учебное пособие предназначено для обеспечения проведения практических занятий со студентами направления подготовки 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи, квалификации «бакалавр». Пособие обеспечивает получение практических навыков по основополагающим вопросам изучаемой дисциплины. Объем учебного пособия определен программой по дисциплине «Эволюция технологий электросвязи». Данное пособие может так же использоваться при проведении практических занятий студентами заочной формы обучения.
Доп.точки доступа:
Лабунько, О. С.
Борисов, Б. П.
Эволюция технологий электросвязи : учебное пособие: практикум / Борисов Б. П. - Ростов-на-Дону : Северо-Кавказский филиал Московского технического университета связи и информатики, 2018. - 83 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
системы коммутации -- телефонный аппарат -- технологии -- электросвязь
Аннотация: Учебное пособие предназначено для обеспечения проведения практических занятий со студентами направления подготовки 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи, квалификации «бакалавр». Пособие обеспечивает получение практических навыков по основополагающим вопросам изучаемой дисциплины. Объем учебного пособия определен программой по дисциплине «Эволюция технологий электросвязи». Данное пособие может так же использоваться при проведении практических занятий студентами заочной формы обучения.
Доп.точки доступа:
Лабунько, О. С.
59.
Подробнее
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
60.
Подробнее
Палий, А. В.
Комбинационные цифровые устройства : учебное пособие / Палий А. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2017. - 125 с. - ISBN 978-5-9275-2726-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
алгебра логики -- закон отрицания -- закон поглощения -- закон склеивания -- комбинационная схема -- комбинационное устройство -- комбинационный закон -- мультиплексор -- цифровое устройство -- шифратор
Аннотация: В данном учебном пособии излагаются основы схемотехники электронных средств, основные законы алгебры логики, основы построения комбинационных цифровых устройств в объеме, предусмотренном Госстандартом для подготовки бакалавров по направлению 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств». Пособие может быть рекомендовано студентам, обучающимся по данному направлению, а также специалистам в области схемотехники.
Доп.точки доступа:
Саенко, А. В.
Палий, А. В.
Комбинационные цифровые устройства : учебное пособие / Палий А. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2017. - 125 с. - ISBN 978-5-9275-2726-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
алгебра логики -- закон отрицания -- закон поглощения -- закон склеивания -- комбинационная схема -- комбинационное устройство -- комбинационный закон -- мультиплексор -- цифровое устройство -- шифратор
Аннотация: В данном учебном пособии излагаются основы схемотехники электронных средств, основные законы алгебры логики, основы построения комбинационных цифровых устройств в объеме, предусмотренном Госстандартом для подготовки бакалавров по направлению 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств». Пособие может быть рекомендовано студентам, обучающимся по данному направлению, а также специалистам в области схемотехники.
Доп.точки доступа:
Саенко, А. В.
Page 6, Results: 173