Choice of metadata IPR SMART
Page 1, Results: 1
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Page 1, Results: 1