База данных: IPR SMART кітаптар
Беті 2, Нәтижелерін: 29
Отмеченные записи: 0
11.
Подробнее
84048
Мостовщиков, А. В.
Виды запасенной энергии в твердых телах : монография / Мостовщиков А. В. - Томск : Томский политехнический университет, 2017. - 120 с. - ISBN 978-5-4387-0745-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
атом -- излучение -- молекула -- процесс -- твердое тело -- физика -- энергия
Аннотация: В монографии рассмотрены вопросы запасания энергии в твердых телах, показаны возможные физические механизмы этих процессов, проблемы устойчивости состояний с высокой запасенной энергией. Представлены экспериментальные результаты исследования влияния на запасенную энергию в нанопорошке алюминия высокоэнергетических воздействий (потоки ускоренных электронов, СВЧ-излучение). Показано, что перспективным направлением запасания энергии являются возбужденные электронные состояния атомов и молекул (лазеры, ридберговские атомы). Монография представляет интерес для научно-технических работников, преподавателей, аспирантов и магистрантов, исследующих взаимодействие концентрированных потоков энергии с материалами, специалистов, использующих электронное и СВЧ-излучение в различных технологических процессах, а также для всех интересующихся проблемами запасания энергии.
Доп.точки доступа:
Ильина, А. П. \ред.\
Мостовщиков, А. В.
Виды запасенной энергии в твердых телах : монография / Мостовщиков А. В. - Томск : Томский политехнический университет, 2017. - 120 с. - ISBN 978-5-4387-0745-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
атом -- излучение -- молекула -- процесс -- твердое тело -- физика -- энергия
Аннотация: В монографии рассмотрены вопросы запасания энергии в твердых телах, показаны возможные физические механизмы этих процессов, проблемы устойчивости состояний с высокой запасенной энергией. Представлены экспериментальные результаты исследования влияния на запасенную энергию в нанопорошке алюминия высокоэнергетических воздействий (потоки ускоренных электронов, СВЧ-излучение). Показано, что перспективным направлением запасания энергии являются возбужденные электронные состояния атомов и молекул (лазеры, ридберговские атомы). Монография представляет интерес для научно-технических работников, преподавателей, аспирантов и магистрантов, исследующих взаимодействие концентрированных потоков энергии с материалами, специалистов, использующих электронное и СВЧ-излучение в различных технологических процессах, а также для всех интересующихся проблемами запасания энергии.
Доп.точки доступа:
Ильина, А. П. \ред.\
12.
Подробнее
90991
Кваша, И. В.
Дефекты строения твердых тел : учебное пособие / Кваша И. В. - Москва : Российский университет дружбы народов, 2017. - 132 с. - ISBN 978-5-209-07862-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
винтовая дислокация -- двумерный дефект -- дефект строения -- контур бюргерса -- краевая дислокация -- кристаллическое строение -- механическое свойство -- свойство материала -- твердое тело -- точечный дефект
Аннотация: В пособии излагаются современные представления о дефектах кристаллического строения твердых тел и влиянии этих дефектов на механические, электрические, тепловые, оптические и другие свойства материалов. Приводятся общие сведения о кристаллическом строении тел, дается описание точечных (нульмерных) дефектов и различных путей их образования, рассматриваются линейные дефекты (дислокации) - их зарождение, развитие, движение и торможение, а также решающая роль в пластическом деформировании металлов и двумерные дефекты - в частности, границы зерен и строение этих границ, их значение для прочности и твердости материалов. Приводятся примеры использования технологических приемов для улучшения свойств материалов, таких, как прочность, пластичность, твердость, электропроводность и др., причем эти приемы основаны на знаниях о точечных дефектах и дислокациях, о влиянии примесных атомов в кристаллической решетке, об аморфизации поверхности деталей, о размерных эффектах и т.п. Для студентов бакалавриата, обучающихся в Инженерной академии РУДН, в частности, по направлению 15.03.05 «Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительного производства».
Доп.точки доступа:
Невровский, В. А.
Кваша, И. В.
Дефекты строения твердых тел : учебное пособие / Кваша И. В. - Москва : Российский университет дружбы народов, 2017. - 132 с. - ISBN 978-5-209-07862-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
винтовая дислокация -- двумерный дефект -- дефект строения -- контур бюргерса -- краевая дислокация -- кристаллическое строение -- механическое свойство -- свойство материала -- твердое тело -- точечный дефект
Аннотация: В пособии излагаются современные представления о дефектах кристаллического строения твердых тел и влиянии этих дефектов на механические, электрические, тепловые, оптические и другие свойства материалов. Приводятся общие сведения о кристаллическом строении тел, дается описание точечных (нульмерных) дефектов и различных путей их образования, рассматриваются линейные дефекты (дислокации) - их зарождение, развитие, движение и торможение, а также решающая роль в пластическом деформировании металлов и двумерные дефекты - в частности, границы зерен и строение этих границ, их значение для прочности и твердости материалов. Приводятся примеры использования технологических приемов для улучшения свойств материалов, таких, как прочность, пластичность, твердость, электропроводность и др., причем эти приемы основаны на знаниях о точечных дефектах и дислокациях, о влиянии примесных атомов в кристаллической решетке, об аморфизации поверхности деталей, о размерных эффектах и т.п. Для студентов бакалавриата, обучающихся в Инженерной академии РУДН, в частности, по направлению 15.03.05 «Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительного производства».
Доп.точки доступа:
Невровский, В. А.
13.
Подробнее
75378
Головкина, М. В.
История и методология фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 100 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- история фотоники -- компьютерное моделирование -- лазер -- метаматериал -- методология фотоники -- научное познание -- оптоинформатика -- полупроводниковый материал -- этика науки
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «История и методология фотоники и оптоинформатики». Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. В книге на высоком уровне рассматриваются вопросы роли науки в современном обществе, методологические проблемы конкретной отрасли науки - фотоники и оптоинформатики, практические вопросы особенностей методологии решения научных и инженерных задач в области фотоники и оптоинформатики, изучается история фотоники. Особое внимание уделяется вкладу советских и российских ученых в развитие фотоники. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы фотоники, оптики, оптоинформатики и оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
Головкина, М. В.
История и методология фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 100 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- история фотоники -- компьютерное моделирование -- лазер -- метаматериал -- методология фотоники -- научное познание -- оптоинформатика -- полупроводниковый материал -- этика науки
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «История и методология фотоники и оптоинформатики». Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. В книге на высоком уровне рассматриваются вопросы роли науки в современном обществе, методологические проблемы конкретной отрасли науки - фотоники и оптоинформатики, практические вопросы особенностей методологии решения научных и инженерных задач в области фотоники и оптоинформатики, изучается история фотоники. Особое внимание уделяется вкладу советских и российских ученых в развитие фотоники. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы фотоники, оптики, оптоинформатики и оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
14.
Подробнее
84702
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.
15.
Подробнее
75423
Головкина, М. В.
Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 140 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
движение наночастицы -- квазичастица -- квантование энергии -- квантовая механика -- нанотехнология -- оптоинформатика -- потенциальная яма -- уравнение шредингера -- фотоника -- фотонный кристалл
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
Головкина, М. В.
Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 140 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
движение наночастицы -- квазичастица -- квантование энергии -- квантовая механика -- нанотехнология -- оптоинформатика -- потенциальная яма -- уравнение шредингера -- фотоника -- фотонный кристалл
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
16.
Подробнее
66410
Сергеев, Н. А.
Физика наносистем : монография / Сергеев Н. А. - Москва : Логос, 2016. - 192 с. - ISBN 978-5-98704-833-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
магнитное поле -- наносистема -- наноструктура -- сверхрешетка -- физика
Аннотация: Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.
Доп.точки доступа:
Рябушкин, Д. С.
Сергеев, Н. А.
Физика наносистем : монография / Сергеев Н. А. - Москва : Логос, 2016. - 192 с. - ISBN 978-5-98704-833-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
магнитное поле -- наносистема -- наноструктура -- сверхрешетка -- физика
Аннотация: Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.
Доп.точки доступа:
Рябушкин, Д. С.
17.
Подробнее
80255
Гайсин, Н. К.
Ядерная магнитная релаксация и молекулярное движение в органических кристаллах : монография / Гайсин Н. К. - Казань : Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2016. - 112 с. - ISBN 978-5-7882-2050-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
кристалл -- молекулярное движение -- органический кристалл -- физика -- ядерная магнитная релаксация
Аннотация: Рассмотрены основные положения теории ядерной магнитной релаксации в молекулярных кристаллах. Представлены результаты разделения внутри- и межмолекулярного вкладов в протонную спин-решеточную релаксацию в кристаллических циклогексане и бензоле. Исследована динамика и коррелированность вращательного и поступательного движения молекул в этих кристаллах. Предназначена для студентов старших курсов и аспирантов физических, химических и других специальностей вузов, а также для научных работников, интересующихся молекулярной динамикой в кристаллах. Подготовлена на кафедре физики.
Гайсин, Н. К.
Ядерная магнитная релаксация и молекулярное движение в органических кристаллах : монография / Гайсин Н. К. - Казань : Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2016. - 112 с. - ISBN 978-5-7882-2050-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
кристалл -- молекулярное движение -- органический кристалл -- физика -- ядерная магнитная релаксация
Аннотация: Рассмотрены основные положения теории ядерной магнитной релаксации в молекулярных кристаллах. Представлены результаты разделения внутри- и межмолекулярного вкладов в протонную спин-решеточную релаксацию в кристаллических циклогексане и бензоле. Исследована динамика и коррелированность вращательного и поступательного движения молекул в этих кристаллах. Предназначена для студентов старших курсов и аспирантов физических, химических и других специальностей вузов, а также для научных работников, интересующихся молекулярной динамикой в кристаллах. Подготовлена на кафедре физики.
18.
Подробнее
54125
Кручинин, Н. Ю.
Метод молекулярной динамики при изучении структуры и конформационной динамики макромолекул на поверхностях твердых адсорбентов и в нанокластерах : учебное пособие / Кручинин Н. Ю. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 108 с. - ISBN 978-5-7410-1241-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
изучение структуры -- конформационная динамика -- макромолекула -- молекулярная динамика -- нанокластер -- твердый адсорбент
Аннотация: В учебном пособии рассматривается метод молекулярной динамики и его применение для изучения структуры и конформационной динамики на поверхностях твердых адсорбентов и в нанокластерах. Учебное пособие предназначено для студентов направления 011800.62 Радиофизика и 011200.62 Физика для изучения дисциплины «Вычислительная физика».
Кручинин, Н. Ю.
Метод молекулярной динамики при изучении структуры и конформационной динамики макромолекул на поверхностях твердых адсорбентов и в нанокластерах : учебное пособие / Кручинин Н. Ю. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 108 с. - ISBN 978-5-7410-1241-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
изучение структуры -- конформационная динамика -- макромолекула -- молекулярная динамика -- нанокластер -- твердый адсорбент
Аннотация: В учебном пособии рассматривается метод молекулярной динамики и его применение для изучения структуры и конформационной динамики на поверхностях твердых адсорбентов и в нанокластерах. Учебное пособие предназначено для студентов направления 011800.62 Радиофизика и 011200.62 Физика для изучения дисциплины «Вычислительная физика».
19.
Подробнее
54132
Филяк, М. М.
Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках : учебное пособие / Филяк М. М. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 134 с. - ISBN 978-5-7410-1188-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379я73
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- полупроводник -- проводниковый материал -- физический процесс -- электропроводность металла
Аннотация: В учебном пособии представлены общие сведения о материалах электронных средств, дана их классификация и применение. Основное внимание уделено рассмотрению физических процессов, происходящих в диэлектриках, проводниках и полупроводниках, влияющих на их свойства в процессе получения материалов и в ходе эксплуатации устройств, созданных на их основе. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по программам высшего профессионального образования по направлению подготовки 211000.62 Конструирование и технология электронных средств.
Филяк, М. М.
Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках : учебное пособие / Филяк М. М. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 134 с. - ISBN 978-5-7410-1188-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- полупроводник -- проводниковый материал -- физический процесс -- электропроводность металла
Аннотация: В учебном пособии представлены общие сведения о материалах электронных средств, дана их классификация и применение. Основное внимание уделено рассмотрению физических процессов, происходящих в диэлектриках, проводниках и полупроводниках, влияющих на их свойства в процессе получения материалов и в ходе эксплуатации устройств, созданных на их основе. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по программам высшего профессионального образования по направлению подготовки 211000.62 Конструирование и технология электронных средств.
20.
Подробнее
33418
Сергеев, Н. А.
Физика наносистем : монография / Сергеев Н. А. - Москва : Логос, 2015. - 192 с. - ISBN 978-5-98704-833-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
магнитное поле -- наносистема -- наноструктура -- сверхрешетка -- физика
Аннотация: Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.
Доп.точки доступа:
Рябушкин, Д. С.
Сергеев, Н. А.
Физика наносистем : монография / Сергеев Н. А. - Москва : Логос, 2015. - 192 с. - ISBN 978-5-98704-833-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
магнитное поле -- наносистема -- наноструктура -- сверхрешетка -- физика
Аннотация: Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.
Доп.точки доступа:
Рябушкин, Д. С.
Беті 2, Нәтижелерін: 29