Электрондық каталог


 

База данных: IPR SMART кітаптар

Беті 1, Нәтижелерін: 7

Отмеченные записи: 0

128656
Сударь, Н. Т.
    Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Сударь Н. Т. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. - 153 с. - ISBN 978-5-7422-7820-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
высокомолекулярные соединения -- полимерные диэлектрики -- сильное поле -- электрическое поле
Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.

Сударь, Н. Т. Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Сударь Н. Т., 2022. - 153 с.

1.

Сударь, Н. Т. Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Сударь Н. Т., 2022. - 153 с.


128656
Сударь, Н. Т.
    Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Сударь Н. Т. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. - 153 с. - ISBN 978-5-7422-7820-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
высокомолекулярные соединения -- полимерные диэлектрики -- сильное поле -- электрическое поле
Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.

87718
Малышев, И. В.
    Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / Малышев И. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 145 с. - ISBN 978-5-9275-3016-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
гидродинамическое приближение -- дрейфово-диффузионная модель -- закон фика -- кинетический эффект -- кинетическое уравнение -- магнитное поле -- метод монте-карло -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый прибор -- электрическое поле
Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.

Доп.точки доступа:
Паршина, Н. В.

Малышев, И. В. Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Малышев И. В., 2018. - 145 с.

2.

Малышев, И. В. Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Малышев И. В., 2018. - 145 с.


87718
Малышев, И. В.
    Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / Малышев И. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 145 с. - ISBN 978-5-9275-3016-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
гидродинамическое приближение -- дрейфово-диффузионная модель -- закон фика -- кинетический эффект -- кинетическое уравнение -- магнитное поле -- метод монте-карло -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый прибор -- электрическое поле
Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.

Доп.точки доступа:
Паршина, Н. В.

84702
Никифоров, С. В.
    Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.

Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.

Никифоров, С. В. Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках [Электронный ресурс] / Никифоров С. В., 2017. - 272 с.

3.

Никифоров, С. В. Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках [Электронный ресурс] / Никифоров С. В., 2017. - 272 с.


84702
Никифоров, С. В.
    Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.

Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.

54132
Филяк, М. М.
    Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках : учебное пособие / Филяк М. М. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 134 с. - ISBN 978-5-7410-1188-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379я73

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- полупроводник -- проводниковый материал -- физический процесс -- электропроводность металла
Аннотация: В учебном пособии представлены общие сведения о материалах электронных средств, дана их классификация и применение. Основное внимание уделено рассмотрению физических процессов, происходящих в диэлектриках, проводниках и полупроводниках, влияющих на их свойства в процессе получения материалов и в ходе эксплуатации устройств, созданных на их основе. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по программам высшего профессионального образования по направлению подготовки 211000.62 Конструирование и технология электронных средств.

Филяк, М. М. Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Филяк М. М., 2015. - 134 с.

4.

Филяк, М. М. Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Филяк М. М., 2015. - 134 с.


54132
Филяк, М. М.
    Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках : учебное пособие / Филяк М. М. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 134 с. - ISBN 978-5-7410-1188-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379я73

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- полупроводник -- проводниковый материал -- физический процесс -- электропроводность металла
Аннотация: В учебном пособии представлены общие сведения о материалах электронных средств, дана их классификация и применение. Основное внимание уделено рассмотрению физических процессов, происходящих в диэлектриках, проводниках и полупроводниках, влияющих на их свойства в процессе получения материалов и в ходе эксплуатации устройств, созданных на их основе. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по программам высшего профессионального образования по направлению подготовки 211000.62 Конструирование и технология электронных средств.

134582
Асеев, А. Л.
    Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / Асеев А. Л. - Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. - 144 с. - ISBN 978-5-4437-1360-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- нанотехнологии -- нейропроцессор -- полупроводник -- спинтроника -- физика -- электроника -- электронная память
Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.

Асеев, А. Л. Полупроводники и нанотехнологии [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Асеев А. Л., 2023. - 144 с.

5.

Асеев, А. Л. Полупроводники и нанотехнологии [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Асеев А. Л., 2023. - 144 с.


134582
Асеев, А. Л.
    Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / Асеев А. Л. - Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. - 144 с. - ISBN 978-5-4437-1360-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- нанотехнологии -- нейропроцессор -- полупроводник -- спинтроника -- физика -- электроника -- электронная память
Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.

135991
Поклонский, Н. А.
    Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Поклонский Н. А. - Минск : Белорусская наука, 2023. - 312 с. - ISBN 978-985-08-3053-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
атомная диффузия -- полупроводниковых систем -- решеточная теплопроводность -- физика
Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.
Поклонская, О. Н.

Поклонский, Н. А. Физика полупроводниковых систем. Основные понятия [Электронный ресурс] / Поклонский Н. А., 2023. - 312 с.

6.

Поклонский, Н. А. Физика полупроводниковых систем. Основные понятия [Электронный ресурс] / Поклонский Н. А., 2023. - 312 с.


135991
Поклонский, Н. А.
    Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Поклонский Н. А. - Минск : Белорусская наука, 2023. - 312 с. - ISBN 978-985-08-3053-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
атомная диффузия -- полупроводниковых систем -- решеточная теплопроводность -- физика
Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.

Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.
Поклонская, О. Н.

131465

    Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Бугаев Л. А. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - ISBN 978-5-9275-4251-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- материал -- наноматериал -- физика -- экспериментальный метод -- электронная структура
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.

Доп.точки доступа:
Бугаев, Л. А.
Сухарина, Г. Б.
Авакян, Л. А.
Срабионян, В. В.
Ермакова, А. М.
Курзина, Т. И.

Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Бугаев Л. А., 2022. - 104 с.

7.

Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Бугаев Л. А., 2022. - 104 с.


131465

    Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Бугаев Л. А. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - ISBN 978-5-9275-4251-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.379

Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- материал -- наноматериал -- физика -- экспериментальный метод -- электронная структура
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.

Доп.точки доступа:
Бугаев, Л. А.
Сухарина, Г. Б.
Авакян, Л. А.
Срабионян, В. В.
Ермакова, А. М.
Курзина, Т. И.

Беті 1, Нәтижелерін: 7

 

Барлық түсімдер 
Немесе қызығушылық танытқан айыңызды таңдаңыз