База данных: IPR SMART кітаптар
Беті 1, Нәтижелерін: 11
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства : учебное пособие. - [Б. м.] : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012 - .Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства / Романовский М. Н. - 2012. - 127 с. - ISBN 978-5-905025-06-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
интегральное устройство -- радиоэлектроника -- кремний -- арсенид -- галлий -- интегральная оптика -- акустоэлектронное устройство
Аннотация: Рассмотрены элементы интегральных схем на кремнии и арсениде галлия, элементы интегральной оптики, акустоэлектронные устройства. Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства : учебное пособие. - [Б. м.] : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012 - .Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства / Романовский М. Н. - 2012. - 127 с. - ISBN 978-5-905025-06-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральное устройство -- радиоэлектроника -- кремний -- арсенид -- галлий -- интегральная оптика -- акустоэлектронное устройство
Аннотация: Рассмотрены элементы интегральных схем на кремнии и арсениде галлия, элементы интегральной оптики, акустоэлектронные устройства. Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
2.
Подробнее
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
3.
Подробнее
Перинский, В. В.
Материаловедение ионно-модифицированных диэлектриков: перспективные технологии электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров : учебное пособие / Перинский В. В. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2021. - 70 с. - ISBN 978-5-4497-1342-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 34.650
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- ионная имплантация -- ионно-лучевое модифицирование -- материаловедение -- полимер -- твердотельная электроника -- электротехнология
Аннотация: Ионно-лучевое модифицирование (ионная имплантация) приобрело за последние годы важное значение не только как мощный универсальный метод экспериментальной физики, материаловедения, но и как технология создания микроэлектронных устройств современной твердотельной электроники на кремнии, арсениде галлия. В учебном пособии изложены результаты исследований физико-химических процессов, протекающих в полимерах при имплантации ионов высоких энергий, с целью повышения эксплуатационных свойств. Также представлены достижения науки и техники в создании новых электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров. Учебное пособие подготовлено в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Издание может быть использовано студентами, магистрантами и аспирантами укрупненной группы направлений подготовки и специальностей 13.00.00 «Электро- и теплоэнергетика» при изучении дисциплин «Тонкопленочные технологии в упрочнении изделий машиностроения», «Электротехническое и конструкционное материаловедение», «Специальные главы электротехнологии».
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Перинский, В. В.
Материаловедение ионно-модифицированных диэлектриков: перспективные технологии электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров : учебное пособие / Перинский В. В. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2021. - 70 с. - ISBN 978-5-4497-1342-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- ионная имплантация -- ионно-лучевое модифицирование -- материаловедение -- полимер -- твердотельная электроника -- электротехнология
Аннотация: Ионно-лучевое модифицирование (ионная имплантация) приобрело за последние годы важное значение не только как мощный универсальный метод экспериментальной физики, материаловедения, но и как технология создания микроэлектронных устройств современной твердотельной электроники на кремнии, арсениде галлия. В учебном пособии изложены результаты исследований физико-химических процессов, протекающих в полимерах при имплантации ионов высоких энергий, с целью повышения эксплуатационных свойств. Также представлены достижения науки и техники в создании новых электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров. Учебное пособие подготовлено в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Издание может быть использовано студентами, магистрантами и аспирантами укрупненной группы направлений подготовки и специальностей 13.00.00 «Электро- и теплоэнергетика» при изучении дисциплин «Тонкопленочные технологии в упрочнении изделий машиностроения», «Электротехническое и конструкционное материаловедение», «Специальные главы электротехнологии».
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
4.
Подробнее
Перинская, И. В.
Инженерное дело. Начала методологии научных исследований. Аспект электроники : учебное пособие / Перинская И. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 95 с. - ISBN 978-5-7433-3325-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 72.5
Кл.слова (ненормированные):
инженерное дело -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- современная нанотехнология -- электроника
Аннотация: Приведены начала методологии научных исследований в области электроники. Описан исторический экскурс: вакуумная электроника, дискретная полупроводниковая, а также кремниевая, арсенидгаллиевая, нитридгаллиевая СВЧ твердотельная микроэлектроника и наноэлектроника. Учебное пособие содержит начала для контроля знаний инженерного дела в аспекте электроники. Предназначено для изучения студентами, магистрантами, аспирантами высших технических учебных заведений; использования преподавателями при проведении лекций для студентов, обучающихся по направлениям «Твердотельная электроника», «Радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника», «Приборы на квантовых эффектах», «Нано-технология в электронике», «Электротехнология».
Доп.точки доступа:
Перинский, В. В.
Вениг, С. Б.
Перинская, И. В.
Инженерное дело. Начала методологии научных исследований. Аспект электроники : учебное пособие / Перинская И. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 95 с. - ISBN 978-5-7433-3325-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
инженерное дело -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- современная нанотехнология -- электроника
Аннотация: Приведены начала методологии научных исследований в области электроники. Описан исторический экскурс: вакуумная электроника, дискретная полупроводниковая, а также кремниевая, арсенидгаллиевая, нитридгаллиевая СВЧ твердотельная микроэлектроника и наноэлектроника. Учебное пособие содержит начала для контроля знаний инженерного дела в аспекте электроники. Предназначено для изучения студентами, магистрантами, аспирантами высших технических учебных заведений; использования преподавателями при проведении лекций для студентов, обучающихся по направлениям «Твердотельная электроника», «Радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника», «Приборы на квантовых эффектах», «Нано-технология в электронике», «Электротехнология».
Доп.точки доступа:
Перинский, В. В.
Вениг, С. Б.
5.
Подробнее
Перинский, В. В.
Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.3
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.
Перинский, В. В.
Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.
6.
Подробнее
Основы силовой электроники / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2019. - 424 с. - ISBN 978-5-94836-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.844
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- динисторы -- силовая электроника -- термобатареи -- тиристоры
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Доп.точки доступа:
Белоус, А. И.
Солодуха, В. А.
Ефименко, С. А.
Пилипенко, В. А.
Основы силовой электроники / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2019. - 424 с. - ISBN 978-5-94836-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- динисторы -- силовая электроника -- термобатареи -- тиристоры
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Доп.точки доступа:
Белоус, А. И.
Солодуха, В. А.
Ефименко, С. А.
Пилипенко, В. А.
7.
Подробнее
Митрошин, В. Н.
Схемотехника цифровых устройств : учебное пособие / Митрошин В. Н. - Самара : Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2019. - 118 с. - ISBN 978-5-7964-2166-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.97
Кл.слова (ненормированные):
информационная автоматика -- логический элемент -- регистр -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: Рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И 2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); рассмотрены разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Описаны схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. В данном пособии основное внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы, без понимания принципов работы и проектирования которых достаточно сложно освоить принципы создания и функционирования программируемых устройств.
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
Митрошин, В. Н.
Схемотехника цифровых устройств : учебное пособие / Митрошин В. Н. - Самара : Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2019. - 118 с. - ISBN 978-5-7964-2166-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
информационная автоматика -- логический элемент -- регистр -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: Рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И 2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); рассмотрены разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Описаны схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. В данном пособии основное внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы, без понимания принципов работы и проектирования которых достаточно сложно освоить принципы создания и функционирования программируемых устройств.
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
8.
Подробнее
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
9.
Подробнее
Дробот, П. Н.
Наноэлектроника : учебное пособие / Дробот П. Н. - Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2016. - 286 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
графеновая электроника -- квантовая физика -- квантовый эффект -- наноструктура -- нанотехнология -- наноэлектроника
Аннотация: Учебное пособие целостно показывает весь материал в развитии – от полупроводниковой электроники к наноэлектронике, от квантовой физики к квантовым свойствам электронов в наноэлектронных приборах на квантовых эффектах. Рассмотрены новейшие материалы: молибденит, алмаз, антимониды и арсениды индия, углеродные нанотрубки, графен и приборы на их основе.
Дробот, П. Н.
Наноэлектроника : учебное пособие / Дробот П. Н. - Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2016. - 286 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
графеновая электроника -- квантовая физика -- квантовый эффект -- наноструктура -- нанотехнология -- наноэлектроника
Аннотация: Учебное пособие целостно показывает весь материал в развитии – от полупроводниковой электроники к наноэлектронике, от квантовой физики к квантовым свойствам электронов в наноэлектронных приборах на квантовых эффектах. Рассмотрены новейшие материалы: молибденит, алмаз, антимониды и арсениды индия, углеродные нанотрубки, графен и приборы на их основе.
10.
Подробнее
Митрошин, В. Н.
Цифровая схемотехника : учебное пособие для СПО / Митрошин В. Н. - Саратов : Профобразование, 2022. - 116 с. - ISBN 978-5-4488-1413-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.97
Кл.слова (ненормированные):
генератор импульса -- информационная автоматика -- преобразователь -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); описаны разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Приведены схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. Особое внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы. Издание предназначено для студентов всех специальностей и профессий среднего профессионального образования, учебными планами которых предусмотрено изучение дисциплины «Цифровая схемотехника».
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
Митрошин, В. Н.
Цифровая схемотехника : учебное пособие для СПО / Митрошин В. Н. - Саратов : Профобразование, 2022. - 116 с. - ISBN 978-5-4488-1413-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
генератор импульса -- информационная автоматика -- преобразователь -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); описаны разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Приведены схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. Особое внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы. Издание предназначено для студентов всех специальностей и профессий среднего профессионального образования, учебными планами которых предусмотрено изучение дисциплины «Цифровая схемотехника».
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
Беті 1, Нәтижелерін: 11