Электрондық каталог


 

База данных: IPR SMART кітаптар

Беті 1, Нәтижелерін: 2

Отмеченные записи: 0

123927
Гармашов, С. И.
    Модель термомиграции жидких цилиндрических включений в кристалле и ее применение : монография / Гармашов С. И. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 99 с. - ISBN 978-5-9275-4054-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 24.56

Кл.слова (ненормированные):
градиент температуры -- кристалл -- термомиграция -- цилиндрические включения
Аннотация: В работе представлена модель, позволяющая рассчитывать форму сечения и скорость цилиндрического включения, мигрирующего в кристалле под действием градиента температуры в стационарных тепловых условиях. На основе предложенной модели, требующей в общем случае применения численных методов, получены аналитические выражения для расчета скорости включения в предельном случае относительно больших площадей сечений. Проведен анализ рассчитанных зависимостей скорости и формы сечений мигрирующих цилиндрических включений от площади их сечения, градиента температуры, степени затрудненности межфазных процессов, удельной межфазной энергии и степени ее анизотропии. Предложены методики определения степени анизотропии удельной межфазной энергии и относительной затрудненности межфазных процессов из анализа форм сечений мигрирующих цилиндрических включений. Издание предназначено для специалистов в области роста кристаллов, а также студентов, магистрантов и аспирантов при изучении вопросов физики процессов кристаллизации.

Гармашов, С. И. Модель термомиграции жидких цилиндрических включений в кристалле и ее применение [Электронный ресурс] : Монография / Гармашов С. И., 2022. - 99 с.

1.

Гармашов, С. И. Модель термомиграции жидких цилиндрических включений в кристалле и ее применение [Электронный ресурс] : Монография / Гармашов С. И., 2022. - 99 с.

Открыть исходную запись


123927
Гармашов, С. И.
    Модель термомиграции жидких цилиндрических включений в кристалле и ее применение : монография / Гармашов С. И. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 99 с. - ISBN 978-5-9275-4054-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 24.56

Кл.слова (ненормированные):
градиент температуры -- кристалл -- термомиграция -- цилиндрические включения
Аннотация: В работе представлена модель, позволяющая рассчитывать форму сечения и скорость цилиндрического включения, мигрирующего в кристалле под действием градиента температуры в стационарных тепловых условиях. На основе предложенной модели, требующей в общем случае применения численных методов, получены аналитические выражения для расчета скорости включения в предельном случае относительно больших площадей сечений. Проведен анализ рассчитанных зависимостей скорости и формы сечений мигрирующих цилиндрических включений от площади их сечения, градиента температуры, степени затрудненности межфазных процессов, удельной межфазной энергии и степени ее анизотропии. Предложены методики определения степени анизотропии удельной межфазной энергии и относительной затрудненности межфазных процессов из анализа форм сечений мигрирующих цилиндрических включений. Издание предназначено для специалистов в области роста кристаллов, а также студентов, магистрантов и аспирантов при изучении вопросов физики процессов кристаллизации.

107957
Гармашов, С. И.
    Методы исследования процессов кристаллизации : учебное пособие / Гармашов С. И. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2019. - 89 с. - ISBN 978-5-9275-3217-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- межфазная энергия -- поверхностная энергия -- термомиграция -- тонкая пленка -- физика
Аннотация: Содержит систематическое изложение материала по изучению физики процессов кристаллизации, который может быть использован при преподавании дисциплины «Экспериментальные методы исследования» для студентов направления 16.03.01 – Техническая физика, а также при выполнении ими научно-исследовательской работы. В пособии рассмотрены теоретические основы зарождения твердой (кристаллической) фазы, на базе которых детально изложены механизм и особенности реализации некоторых методов кристаллизации веществ – в частности, метода термомиграции жидких включений в кристалле под действием градиента температуры и метода квазизамкнутого объема для получения тонких пленок разлагающихся соединений. В пособие включены вопросы и задачи для контроля освоения студентами изложенного материала. Рекомендуется для студентов и аспирантов технических направлений подготовки.

Гармашов, С. И. Методы исследования процессов кристаллизации [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Гармашов С. И., 2019. - 89 с.

2.

Гармашов, С. И. Методы исследования процессов кристаллизации [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Гармашов С. И., 2019. - 89 с.

Открыть исходную запись


107957
Гармашов, С. И.
    Методы исследования процессов кристаллизации : учебное пособие / Гармашов С. И. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2019. - 89 с. - ISBN 978-5-9275-3217-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- межфазная энергия -- поверхностная энергия -- термомиграция -- тонкая пленка -- физика
Аннотация: Содержит систематическое изложение материала по изучению физики процессов кристаллизации, который может быть использован при преподавании дисциплины «Экспериментальные методы исследования» для студентов направления 16.03.01 – Техническая физика, а также при выполнении ими научно-исследовательской работы. В пособии рассмотрены теоретические основы зарождения твердой (кристаллической) фазы, на базе которых детально изложены механизм и особенности реализации некоторых методов кристаллизации веществ – в частности, метода термомиграции жидких включений в кристалле под действием градиента температуры и метода квазизамкнутого объема для получения тонких пленок разлагающихся соединений. В пособие включены вопросы и задачи для контроля освоения студентами изложенного материала. Рекомендуется для студентов и аспирантов технических направлений подготовки.

Беті 1, Нәтижелерін: 2

 

Барлық түсімдер 
Немесе қызығушылық танытқан айыңызды таңдаңыз