База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 1, Результатов: 1
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Страница 1, Результатов: 1