Электронный каталог


 

База данных: Каталог ЭБС IPR SMART

Страница 1, Результатов: 3

Отмеченные записи: 0

87511

    Физика. Введение в твердотельную электронику : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.37

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.

Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.
Какурина, Н. А.
Какурин, Ю. Б.
Черепанцев, А. С.

Физика. Введение в твердотельную электронику [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Захаров А. Г., 2018. - 107 с.

1.

Физика. Введение в твердотельную электронику [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Захаров А. Г., 2018. - 107 с.


87511

    Физика. Введение в твердотельную электронику : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.37

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.

Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.
Какурина, Н. А.
Какурин, Ю. Б.
Черепанцев, А. С.

75378
Головкина, М. В.
    История и методология фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 100 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.37

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- история фотоники -- компьютерное моделирование -- лазер -- метаматериал -- методология фотоники -- научное познание -- оптоинформатика -- полупроводниковый материал -- этика науки
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «История и методология фотоники и оптоинформатики». Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. В книге на высоком уровне рассматриваются вопросы роли науки в современном обществе, методологические проблемы конкретной отрасли науки - фотоники и оптоинформатики, практические вопросы особенностей методологии решения научных и инженерных задач в области фотоники и оптоинформатики, изучается история фотоники. Особое внимание уделяется вкладу советских и российских ученых в развитие фотоники. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы фотоники, оптики, оптоинформатики и оптической связи, а также для инженерно-технических работников.

Головкина, М. В. История и методология фотоники и оптоинформатики [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Головкина М. В., 2017. - 100 с.

2.

Головкина, М. В. История и методология фотоники и оптоинформатики [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Головкина М. В., 2017. - 100 с.


75378
Головкина, М. В.
    История и методология фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 100 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.37

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- история фотоники -- компьютерное моделирование -- лазер -- метаматериал -- методология фотоники -- научное познание -- оптоинформатика -- полупроводниковый материал -- этика науки
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «История и методология фотоники и оптоинформатики». Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. В книге на высоком уровне рассматриваются вопросы роли науки в современном обществе, методологические проблемы конкретной отрасли науки - фотоники и оптоинформатики, практические вопросы особенностей методологии решения научных и инженерных задач в области фотоники и оптоинформатики, изучается история фотоники. Особое внимание уделяется вкладу советских и российских ученых в развитие фотоники. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы фотоники, оптики, оптоинформатики и оптической связи, а также для инженерно-технических работников.

62929
Сысоев, И. А.
    Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.36

Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.

Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.

Сысоев, И. А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону [Электронный ресурс] : Монография / Сысоев И. А., 2015. - 97 с.

3.

Сысоев, И. А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону [Электронный ресурс] : Монография / Сысоев И. А., 2015. - 97 с.


62929
Сысоев, И. А.
    Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.36

Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.

Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.

Страница 1, Результатов: 3

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц