Электронный каталог


 

База данных: Каталог ЭБС IPR SMART

Страница 1, Результатов: 2

Отмеченные записи: 0

91964
Михаэль, Рит
    Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета / Михаэль Рит. - Москва, Ижевск : Институт компьютерных исследований, 2019. - 160 с. - ISBN 978-5-4344-0733-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
вычислительное наноустройство -- межатомный потенциал -- молекулярная динамика -- наносистема -- нанотехнология
Аннотация: Нанотехнология — это технология работы с молекулами. Прогнозируется, что ее развитие приведет к революционным успехам в медицине, электронике, информационных технологиях, энергетике и других областях человеческой деятельности. Данная монография является живым и образным введением в методы и задачи наноинженерии. В ней отражены сложности, возникающие при проектировании и конструировании вычислительных наноустройств. Детально рассмотрены этапы развития этого нового направления в науке. Основное внимание уделяется методу молекулярной динамики, который применяется для анализа нового класса задач, направленных на исследование свойств атомных кластеров (которые, в свою очередь, являются основой для наноустройств). Приводятся полные сведения из области смежных фундаментальных наук (биологии, физики, химии, информатики и техники), необходимые для понимания излагаемого в работе материала. Книга будет полезна для студентов и специалистов по компьютерному моделированию и методам молекулярной физики.

Доп.точки доступа:
Эпштейн, Э. М. \пер.\

Михаэль, Рит Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета [Электронный ресурс] / Михаэль Рит, 2019. - 160 с.

1.

Михаэль, Рит Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета [Электронный ресурс] / Михаэль Рит, 2019. - 160 с.


91964
Михаэль, Рит
    Наноконструирование в науке и технике. Введение в мир нанорасчета / Михаэль Рит. - Москва, Ижевск : Институт компьютерных исследований, 2019. - 160 с. - ISBN 978-5-4344-0733-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
вычислительное наноустройство -- межатомный потенциал -- молекулярная динамика -- наносистема -- нанотехнология
Аннотация: Нанотехнология — это технология работы с молекулами. Прогнозируется, что ее развитие приведет к революционным успехам в медицине, электронике, информационных технологиях, энергетике и других областях человеческой деятельности. Данная монография является живым и образным введением в методы и задачи наноинженерии. В ней отражены сложности, возникающие при проектировании и конструировании вычислительных наноустройств. Детально рассмотрены этапы развития этого нового направления в науке. Основное внимание уделяется методу молекулярной динамики, который применяется для анализа нового класса задач, направленных на исследование свойств атомных кластеров (которые, в свою очередь, являются основой для наноустройств). Приводятся полные сведения из области смежных фундаментальных наук (биологии, физики, химии, информатики и техники), необходимые для понимания излагаемого в работе материала. Книга будет полезна для студентов и специалистов по компьютерному моделированию и методам молекулярной физики.

Доп.точки доступа:
Эпштейн, Э. М. \пер.\

99260
Перинский, В. В.
    Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.

Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.

Перинский, В. В. Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Перинский В. В., 2019. - 123 с.

2.

Перинский, В. В. Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств [Электронный ресурс] : Учебное пособие / Перинский В. В., 2019. - 123 с.


99260
Перинский, В. В.
    Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

УДК
ББК 22.3

Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.

Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.

Страница 1, Результатов: 2

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц