База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 1, Результатов: 1
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.36
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.
Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.
Страница 1, Результатов: 1