База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 1, Результатов: 24
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
2.
Подробнее
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2009 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 / Данилов В. С. - 2009. - 80 с. - ISBN 978-5-7782-1284-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
анализ процесса -- полупроводниковое устройство -- анализ тока
Аннотация: В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2009 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 / Данилов В. С. - 2009. - 80 с. - ISBN 978-5-7782-1284-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
анализ процесса -- полупроводниковое устройство -- анализ тока
Аннотация: В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
3.
Подробнее
Шошин, Е. Л.
Электроника. Полупроводниковые приборы : учебное пособие / Шошин Е. Л. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2021. - 238 с. - ISBN 978-5-4497-0508-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.853
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- операционный усилитель -- оптоэлектронный прибор -- полевой транзистор -- полупроводниковый диод -- полупроводниковый прибор -- электроника
Аннотация: Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание включает также описание цикла лабораторных работ по исследованию параметров и характеристик полупроводниковых приборов в системе схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для студентов технических направлений подготовки всех форм обучения, изучающих дисциплины «Электроника», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника».
Шошин, Е. Л.
Электроника. Полупроводниковые приборы : учебное пособие / Шошин Е. Л. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2021. - 238 с. - ISBN 978-5-4497-0508-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- операционный усилитель -- оптоэлектронный прибор -- полевой транзистор -- полупроводниковый диод -- полупроводниковый прибор -- электроника
Аннотация: Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание включает также описание цикла лабораторных работ по исследованию параметров и характеристик полупроводниковых приборов в системе схемотехнического моделирования Micro-Cap. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для студентов технических направлений подготовки всех форм обучения, изучающих дисциплины «Электроника», «Электротехника и электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника».
4.
Подробнее
Кожухов, В. В.
Электронные цепи и микросхемотехника. Импульсные и цифровые устройства. Конспект лекций : учебное пособие / Кожухов В. В. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2021. - 166 с. - ISBN 978-5-7782-4557-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
импульсные генераторы -- конспект лекций -- микросхемотехника -- цифровые устройства -- электронные цепи
Аннотация: Рассматриваются принципы построения и свойства устройств на транзисторах и интегральных элементах, работающих в импульсном режиме; основы построения устройств комбинационной логики: шифраторов, мультиплексоров, триггеров, регистров, счетчиков, сумматоров. Излагаются основы построения и свойства таких базовых схем, как мультивибраторы, генераторы линейно изменяющегося напряжения, триггеры, блокинг-генераторы. Конспект лекций предназначен для студентов третьего курса РЭФ и ФТФ, обучающихся по специальностям «Электроника и наноэлектроника», «Оптотехника», «Фотоника и оптоинформатика».
Кожухов, В. В.
Электронные цепи и микросхемотехника. Импульсные и цифровые устройства. Конспект лекций : учебное пособие / Кожухов В. В. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2021. - 166 с. - ISBN 978-5-7782-4557-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
импульсные генераторы -- конспект лекций -- микросхемотехника -- цифровые устройства -- электронные цепи
Аннотация: Рассматриваются принципы построения и свойства устройств на транзисторах и интегральных элементах, работающих в импульсном режиме; основы построения устройств комбинационной логики: шифраторов, мультиплексоров, триггеров, регистров, счетчиков, сумматоров. Излагаются основы построения и свойства таких базовых схем, как мультивибраторы, генераторы линейно изменяющегося напряжения, триггеры, блокинг-генераторы. Конспект лекций предназначен для студентов третьего курса РЭФ и ФТФ, обучающихся по специальностям «Электроника и наноэлектроника», «Оптотехника», «Фотоника и оптоинформатика».
5.
Подробнее
Шошин, Е. Л.
Схемотехника телекоммуникационных устройств: проектирование широкополосных усилителей на биполярных транзисторах : учебное пособие / Шошин Е. Л. - Саратов : Вузовское образование, 2020. - 69 с. - ISBN 978-5-4487-0646-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.846
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- схемотехника -- темлекоммуникационное устройство -- усилительный каскад -- широкополосный усилитель -- эмиттер -- эмиттерная коррекция
Аннотация: Содержит описание различных схемных решений построения широкополосных усилительных каскадов, в т.ч. каскадов с ОЭ, ОБ и ОК, каскадов высокочастотной коррекции, согласованных каскадов с обратными связями, каскадов с четырехполюсными корректирующими цепями. Приводятся формулы для расчета эквивалентных параметров транзистора, коэффициента усиления, верхней и нижней граничных частот, параметров входных и выходных цепей, элементов цепей питания и термостабилизации усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено студентам всех форм обучения направления подготовки 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», изучающим дисциплину «Схемотехника телекоммуникационных устройств».
Шошин, Е. Л.
Схемотехника телекоммуникационных устройств: проектирование широкополосных усилителей на биполярных транзисторах : учебное пособие / Шошин Е. Л. - Саратов : Вузовское образование, 2020. - 69 с. - ISBN 978-5-4487-0646-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- схемотехника -- темлекоммуникационное устройство -- усилительный каскад -- широкополосный усилитель -- эмиттер -- эмиттерная коррекция
Аннотация: Содержит описание различных схемных решений построения широкополосных усилительных каскадов, в т.ч. каскадов с ОЭ, ОБ и ОК, каскадов высокочастотной коррекции, согласованных каскадов с обратными связями, каскадов с четырехполюсными корректирующими цепями. Приводятся формулы для расчета эквивалентных параметров транзистора, коэффициента усиления, верхней и нижней граничных частот, параметров входных и выходных цепей, элементов цепей питания и термостабилизации усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено студентам всех форм обучения направления подготовки 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», изучающим дисциплину «Схемотехника телекоммуникационных устройств».
6.
Подробнее
Дыбко, М. А.
Цифровая микроэлектроника : учебное пособие / Дыбко М. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 200 с. - ISBN 978-5-7782-3834-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- логический элемент -- полевой транзистор -- цифровая микроэлектроника -- цифровое устройство -- электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».
Доп.точки доступа:
Удовиченко, А. В.
Волков, А. Г.
Дыбко, М. А.
Цифровая микроэлектроника : учебное пособие / Дыбко М. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 200 с. - ISBN 978-5-7782-3834-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- логический элемент -- полевой транзистор -- цифровая микроэлектроника -- цифровое устройство -- электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».
Доп.точки доступа:
Удовиченко, А. В.
Волков, А. Г.
7.
Подробнее
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
8.
Подробнее
Селиванова, З. М.
Схемотехника электронных средств : учебное пособие / Селиванова З. М. - Тамбов : Тамбовский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2017. - 128 с. - ISBN 978-5-8265-1680-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
динамика -- классификация -- структура -- схемотехника -- электронные средства
Аннотация: Рассматриваются теоретические основы разработки усилительных устройств, методика их расчёта и анализа в рамках курсового проектирования усилителей переменного тока на биполярных и полевых транзисторах по дисциплине «Схемотехника электронных средств». Предназначено для студентов дневного и очно-заочного отделений, экстерната по направлениям обучения 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 11.03.01 «Радиотехника».
Селиванова, З. М.
Схемотехника электронных средств : учебное пособие / Селиванова З. М. - Тамбов : Тамбовский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2017. - 128 с. - ISBN 978-5-8265-1680-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
динамика -- классификация -- структура -- схемотехника -- электронные средства
Аннотация: Рассматриваются теоретические основы разработки усилительных устройств, методика их расчёта и анализа в рамках курсового проектирования усилителей переменного тока на биполярных и полевых транзисторах по дисциплине «Схемотехника электронных средств». Предназначено для студентов дневного и очно-заочного отделений, экстерната по направлениям обучения 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 11.03.01 «Радиотехника».
9.
Подробнее
Шеманаева, Л. И.
Электроника и микропроцессорная техника : учебно-методическое пособие / Шеманаева Л. И. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2023. - 148 с. - ISBN 978-5-4497-1882-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
ewb -- микропроцессорная техника -- транзистор -- усилитель -- цифровое устройство -- электроника
Аннотация: Учебно-методическое пособие содержит общие требования к выполнению лабораторных работ, описание прикладной программы EWB, описания 13 лабораторных работ, список рекомендуемой литературы. В описании каждой работы приводятся цель, краткие теоретические сведения, порядок выполнения работы и контрольные вопросы. В лабораторных работах закрепляются такие разделы электроники и микропроцессорной техники как: элементная база, усилители на транзисторах, операционные усилители, фильтры, генераторы сигналов и цифровые устройства. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Издание предназначено для обеспечения лабораторных работ по дисциплине «Электроника и микропроцессорная техника», изучаемой студентами укрупненной группы специальностей и направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи». Может быть использовано студентами иных специальностей и направлений, учебными планами которых предусмотрено изучение курса электроники.
Шеманаева, Л. И.
Электроника и микропроцессорная техника : учебно-методическое пособие / Шеманаева Л. И. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2023. - 148 с. - ISBN 978-5-4497-1882-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
ewb -- микропроцессорная техника -- транзистор -- усилитель -- цифровое устройство -- электроника
Аннотация: Учебно-методическое пособие содержит общие требования к выполнению лабораторных работ, описание прикладной программы EWB, описания 13 лабораторных работ, список рекомендуемой литературы. В описании каждой работы приводятся цель, краткие теоретические сведения, порядок выполнения работы и контрольные вопросы. В лабораторных работах закрепляются такие разделы электроники и микропроцессорной техники как: элементная база, усилители на транзисторах, операционные усилители, фильтры, генераторы сигналов и цифровые устройства. Подготовлено с учетом требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Издание предназначено для обеспечения лабораторных работ по дисциплине «Электроника и микропроцессорная техника», изучаемой студентами укрупненной группы специальностей и направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи». Может быть использовано студентами иных специальностей и направлений, учебными планами которых предусмотрено изучение курса электроники.
10.
Подробнее
Юсупов, Л. Н.
Схемотехника. Моделирование вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов : практикум / Юсупов Л. Н. - Саратов : Вузовское образование, 2020. - 50 с. - ISBN 978-5-4487-0734-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
multisim -- биполярный транзистор -- вольт-амперная характеристика -- радиоэлектронная схема -- схемотехника
Аннотация: В практикуме рассматриваются разные варианты моделирования биполярных транзисторов и получения их вольт-амперных характеристик в программной среде Multisim. Подготовлен в соответствии с требованиями Федерального государственного стандарта высшего образования. Практикум предназначен для студентов, изучающих дисциплины «Схемотехника», «Электротехника и электроника» направления подготовки 25.05.03 «Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования», а также может применяться при изучении других дисциплин, связанных с исследованием как отдельных радиоэлементов, так и схем на их основе. Кроме того, излагаемый материал будет полезен при выполнении расчетных заданий и при курсовом проектировании различных устройств на транзисторах. Практикум может быть использован в режиме дистанционного обучения. Издание может быть полезно не только студентам, но и преподавателям, планирующим и ведущим занятия по схемотехнике.
Юсупов, Л. Н.
Схемотехника. Моделирование вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов : практикум / Юсупов Л. Н. - Саратов : Вузовское образование, 2020. - 50 с. - ISBN 978-5-4487-0734-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
multisim -- биполярный транзистор -- вольт-амперная характеристика -- радиоэлектронная схема -- схемотехника
Аннотация: В практикуме рассматриваются разные варианты моделирования биполярных транзисторов и получения их вольт-амперных характеристик в программной среде Multisim. Подготовлен в соответствии с требованиями Федерального государственного стандарта высшего образования. Практикум предназначен для студентов, изучающих дисциплины «Схемотехника», «Электротехника и электроника» направления подготовки 25.05.03 «Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования», а также может применяться при изучении других дисциплин, связанных с исследованием как отдельных радиоэлементов, так и схем на их основе. Кроме того, излагаемый материал будет полезен при выполнении расчетных заданий и при курсовом проектировании различных устройств на транзисторах. Практикум может быть использован в режиме дистанционного обучения. Издание может быть полезно не только студентам, но и преподавателям, планирующим и ведущим занятия по схемотехнике.
Страница 1, Результатов: 24