База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 1, Результатов: 3
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Смирнов, В. И.
Физика полупроводниковых приборов : учебное пособие / Смирнов В. И. - Ульяновск : Ульяновский государственный технический университет, 2022. - 204 с. - ISBN 978-5-9795-2198-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.965
Кл.слова (ненормированные):
диод -- полупроводник -- прибор -- свч-электроника -- тиристор -- транзистор -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов. Особое внимание уделено процессам в электронно-дырочных переходах, составляющих основу практически всех полупроводниковых диодов, транзисторов и тиристоров. Отдельно выделены полупроводниковые элементы, предназначенные для работы в силовых устройствах и устройствах СВЧ-электроники. Пособие снабжено большим количеством рисунков, что облегчает преподавание дисциплины с активным привлечением мультимедийных средств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.03 – «Конструирование и технология электронных средств», профиль «Конструирование и технология электронных средств».
Смирнов, В. И.
Физика полупроводниковых приборов : учебное пособие / Смирнов В. И. - Ульяновск : Ульяновский государственный технический университет, 2022. - 204 с. - ISBN 978-5-9795-2198-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
диод -- полупроводник -- прибор -- свч-электроника -- тиристор -- транзистор -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов. Особое внимание уделено процессам в электронно-дырочных переходах, составляющих основу практически всех полупроводниковых диодов, транзисторов и тиристоров. Отдельно выделены полупроводниковые элементы, предназначенные для работы в силовых устройствах и устройствах СВЧ-электроники. Пособие снабжено большим количеством рисунков, что облегчает преподавание дисциплины с активным привлечением мультимедийных средств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.03 – «Конструирование и технология электронных средств», профиль «Конструирование и технология электронных средств».
2.
Подробнее
Авдеев, С. П.
Краткий обзор теории полупроводниковых структур : учебное пособие / Авдеев С. П. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 118 с. - ISBN 978-5-9275-2721-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.852
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- выпрямительный диод -- кремниевый транзистор -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый материал -- полупроводниковый прибор -- удельная проводимость -- уравнение пуассона -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур. Работа предназначена для инженерных направлений подготовки бакалавров и магистров.
Авдеев, С. П.
Краткий обзор теории полупроводниковых структур : учебное пособие / Авдеев С. П. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 118 с. - ISBN 978-5-9275-2721-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- выпрямительный диод -- кремниевый транзистор -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый материал -- полупроводниковый прибор -- удельная проводимость -- уравнение пуассона -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур. Работа предназначена для инженерных направлений подготовки бакалавров и магистров.
3.
Подробнее
Физика. Введение в твердотельную электронику : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.
Какурина, Н. А.
Какурин, Ю. Б.
Черепанцев, А. С.
Физика. Введение в твердотельную электронику : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.
Какурина, Н. А.
Какурин, Ю. Б.
Черепанцев, А. С.
Страница 1, Результатов: 3