База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 1, Результатов: 7
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Физическое материаловедение. Часть 1. Физика твердого тела : учебное пособие. - [Б. м.] : Вышэйшая школа, 2010 - .Физическое материаловедение. Часть 1. Физика твердого тела / Федотов А. К. - 2010. - 400 с. - ISBN 978-985-06-1918-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
физическое материаловедение -- физика -- твердое тело -- атомно-электронное строение -- кристаллический материал
Аннотация: Рассмотрены основные положения физики твердого тела. Освещены вопросы, связанные с атомно-электронным строением кристаллических материалов и физикой тех явлений и процессов, которые протекают в атомной и электронной подсистемах твердых тел, с элементами квантовой теории кристаллов. Для студентов, специализирующихся в области теплофизики кристаллических материалов, проблем энергоэффективности и радиационного материаловедения. Будет полезно аспирантам, инженерам и исследователям.
Физическое материаловедение. Часть 1. Физика твердого тела : учебное пособие. - [Б. м.] : Вышэйшая школа, 2010 - .Физическое материаловедение. Часть 1. Физика твердого тела / Федотов А. К. - 2010. - 400 с. - ISBN 978-985-06-1918-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
физическое материаловедение -- физика -- твердое тело -- атомно-электронное строение -- кристаллический материал
Аннотация: Рассмотрены основные положения физики твердого тела. Освещены вопросы, связанные с атомно-электронным строением кристаллических материалов и физикой тех явлений и процессов, которые протекают в атомной и электронной подсистемах твердых тел, с элементами квантовой теории кристаллов. Для студентов, специализирующихся в области теплофизики кристаллических материалов, проблем энергоэффективности и радиационного материаловедения. Будет полезно аспирантам, инженерам и исследователям.
2.
Подробнее
Зеленин, В. А.
Высокостабильные элементы и структуры для изделий наноэлектроники / Зеленин В. А. - Минск : Белорусская наука, 2022. - 291 с. - ISBN 978-985-08-2875-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
изготовление мишеней -- наноэлектроника -- сплавы -- структура пленок
Аннотация: Монография посвящена разработке новых многокомпонентных материалов для изделий наноэлектроники. Рассмотрены методы расчета азеотропных и эвтектических составов резистивных сплавов. Установлены механизмы и закономерности рекристаллизации и фазовых превращений, протекающих при термообработке многокомпонентных пленок и многослойных структур, содержащих тугоплавкие и редкоземельные элементы, их влияние на стабильность электрических параметров элементов интегральных микросхем (ИМС). Рассмотрены процессы, протекающие в объеме и на границах раздела многослойных структур при их формировании и при последующих высокоэнергетических воздействиях. Приведены данные по влиянию технологических параметров изготовления на структуру, фазовый состав и стабильность электрофизических свойств элементов ИМС. Рассчитана на широкий круг научных и инженерно-технических работников, специалистов в области микро- и наноэлектроники, может служить в качестве учебного пособия по теоретическим вопросам конструирования и производства ИМС для студентов и аспирантов вузов.
Зеленин, В. А.
Высокостабильные элементы и структуры для изделий наноэлектроники / Зеленин В. А. - Минск : Белорусская наука, 2022. - 291 с. - ISBN 978-985-08-2875-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
изготовление мишеней -- наноэлектроника -- сплавы -- структура пленок
Аннотация: Монография посвящена разработке новых многокомпонентных материалов для изделий наноэлектроники. Рассмотрены методы расчета азеотропных и эвтектических составов резистивных сплавов. Установлены механизмы и закономерности рекристаллизации и фазовых превращений, протекающих при термообработке многокомпонентных пленок и многослойных структур, содержащих тугоплавкие и редкоземельные элементы, их влияние на стабильность электрических параметров элементов интегральных микросхем (ИМС). Рассмотрены процессы, протекающие в объеме и на границах раздела многослойных структур при их формировании и при последующих высокоэнергетических воздействиях. Приведены данные по влиянию технологических параметров изготовления на структуру, фазовый состав и стабильность электрофизических свойств элементов ИМС. Рассчитана на широкий круг научных и инженерно-технических работников, специалистов в области микро- и наноэлектроники, может служить в качестве учебного пособия по теоретическим вопросам конструирования и производства ИМС для студентов и аспирантов вузов.
3.
Подробнее
Современные технологии получения и особенности физико-механических и структурных свойств наноматериалов : учебное пособие / Мелентьев С. В. - Томск : Томский государственный архитектурно-строительный университет, ЭБС АСВ, 2019. - 80 с. - ISBN 978-5-93057-906-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.3
Кл.слова (ненормированные):
механика -- наноматериал -- наночастица -- технология -- физика
Аннотация: В данном учебном пособии рассмотрены такие понятия, как «наночастица» и «наноматериал», представлена информация о современных технологиях получения наночастиц и наноматериалов и основных направлениях современных нанотехнологий, а также приведены основные особенности физико-механических свойств наноматериалов. Анализ и применение технологий получения и исследования наноматериалов, а также изучение их физико-механических свойств, является составной частью дисциплин «Наноматериалы и нанотехнологии», «Материаловедение», «Технология композиционных материалов» и предназначены для изучения студентами очной формы обучения.
Доп.точки доступа:
Мелентьев, С. В.
Клопотов, А. А.
Иванов, Ю. Ф.
Литвинова, В. А.
Космачев, П. В.
Волокитин, О. Г.
Современные технологии получения и особенности физико-механических и структурных свойств наноматериалов : учебное пособие / Мелентьев С. В. - Томск : Томский государственный архитектурно-строительный университет, ЭБС АСВ, 2019. - 80 с. - ISBN 978-5-93057-906-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
механика -- наноматериал -- наночастица -- технология -- физика
Аннотация: В данном учебном пособии рассмотрены такие понятия, как «наночастица» и «наноматериал», представлена информация о современных технологиях получения наночастиц и наноматериалов и основных направлениях современных нанотехнологий, а также приведены основные особенности физико-механических свойств наноматериалов. Анализ и применение технологий получения и исследования наноматериалов, а также изучение их физико-механических свойств, является составной частью дисциплин «Наноматериалы и нанотехнологии», «Материаловедение», «Технология композиционных материалов» и предназначены для изучения студентами очной формы обучения.
Доп.точки доступа:
Мелентьев, С. В.
Клопотов, А. А.
Иванов, Ю. Ф.
Литвинова, В. А.
Космачев, П. В.
Волокитин, О. Г.
4.
Подробнее
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.
5.
Подробнее
Головкина, М. В.
Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 140 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
движение наночастицы -- квазичастица -- квантование энергии -- квантовая механика -- нанотехнология -- оптоинформатика -- потенциальная яма -- уравнение шредингера -- фотоника -- фотонный кристалл
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
Головкина, М. В.
Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики : учебное пособие / Головкина М. В. - Самара : Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017. - 140 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
движение наночастицы -- квазичастица -- квантование энергии -- квантовая механика -- нанотехнология -- оптоинформатика -- потенциальная яма -- уравнение шредингера -- фотоника -- фотонный кристалл
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
6.
Подробнее
Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.36
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.
Сысоев, И. А.
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - ISBN 978-5-9296-0785-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- градиентная эпитаксия -- массоперенос -- микроструктура -- многокомпонентная гетероструктура -- наноструктура -- свойство гетероструктуры -- твердый раствор -- термодинамический анализ -- тонкая зона
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Доп.точки доступа:
Лунин, Л. С.
7.
Подробнее
Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Бугаев Л. А. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - ISBN 978-5-9275-4251-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- материал -- наноматериал -- физика -- экспериментальный метод -- электронная структура
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.
Доп.точки доступа:
Бугаев, Л. А.
Сухарина, Г. Б.
Авакян, Л. А.
Срабионян, В. В.
Ермакова, А. М.
Курзина, Т. И.
Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Бугаев Л. А. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - ISBN 978-5-9275-4251-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- материал -- наноматериал -- физика -- экспериментальный метод -- электронная структура
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.
Доп.точки доступа:
Бугаев, Л. А.
Сухарина, Г. Б.
Авакян, Л. А.
Срабионян, В. В.
Ермакова, А. М.
Курзина, Т. И.
Страница 1, Результатов: 7