База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 1, Результатов: 10
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства : учебное пособие. - [Б. м.] : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012 - .Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства / Романовский М. Н. - 2012. - 127 с. - ISBN 978-5-905025-06-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
интегральное устройство -- радиоэлектроника -- кремний -- арсенид -- галлий -- интегральная оптика -- акустоэлектронное устройство
Аннотация: Рассмотрены элементы интегральных схем на кремнии и арсениде галлия, элементы интегральной оптики, акустоэлектронные устройства. Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства : учебное пособие. - [Б. м.] : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012 - .Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства / Романовский М. Н. - 2012. - 127 с. - ISBN 978-5-905025-06-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральное устройство -- радиоэлектроника -- кремний -- арсенид -- галлий -- интегральная оптика -- акустоэлектронное устройство
Аннотация: Рассмотрены элементы интегральных схем на кремнии и арсениде галлия, элементы интегральной оптики, акустоэлектронные устройства. Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».
2.
Подробнее
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - .Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
3.
Подробнее
Перинский, В. В.
Материаловедение ионно-модифицированных диэлектриков: перспективные технологии электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров : учебное пособие / Перинский В. В. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2021. - 70 с. - ISBN 978-5-4497-1342-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 34.650
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- ионная имплантация -- ионно-лучевое модифицирование -- материаловедение -- полимер -- твердотельная электроника -- электротехнология
Аннотация: Ионно-лучевое модифицирование (ионная имплантация) приобрело за последние годы важное значение не только как мощный универсальный метод экспериментальной физики, материаловедения, но и как технология создания микроэлектронных устройств современной твердотельной электроники на кремнии, арсениде галлия. В учебном пособии изложены результаты исследований физико-химических процессов, протекающих в полимерах при имплантации ионов высоких энергий, с целью повышения эксплуатационных свойств. Также представлены достижения науки и техники в создании новых электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров. Учебное пособие подготовлено в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Издание может быть использовано студентами, магистрантами и аспирантами укрупненной группы направлений подготовки и специальностей 13.00.00 «Электро- и теплоэнергетика» при изучении дисциплин «Тонкопленочные технологии в упрочнении изделий машиностроения», «Электротехническое и конструкционное материаловедение», «Специальные главы электротехнологии».
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Перинский, В. В.
Материаловедение ионно-модифицированных диэлектриков: перспективные технологии электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров : учебное пособие / Перинский В. В. - Москва : Ай Пи Ар Медиа, 2021. - 70 с. - ISBN 978-5-4497-1342-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- ионная имплантация -- ионно-лучевое модифицирование -- материаловедение -- полимер -- твердотельная электроника -- электротехнология
Аннотация: Ионно-лучевое модифицирование (ионная имплантация) приобрело за последние годы важное значение не только как мощный универсальный метод экспериментальной физики, материаловедения, но и как технология создания микроэлектронных устройств современной твердотельной электроники на кремнии, арсениде галлия. В учебном пособии изложены результаты исследований физико-химических процессов, протекающих в полимерах при имплантации ионов высоких энергий, с целью повышения эксплуатационных свойств. Также представлены достижения науки и техники в создании новых электронных устройств на основе ионно-имплантированных полимеров. Учебное пособие подготовлено в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Издание может быть использовано студентами, магистрантами и аспирантами укрупненной группы направлений подготовки и специальностей 13.00.00 «Электро- и теплоэнергетика» при изучении дисциплин «Тонкопленочные технологии в упрочнении изделий машиностроения», «Электротехническое и конструкционное материаловедение», «Специальные главы электротехнологии».
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
4.
Подробнее
Перинский, В. В.
Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.3
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.
Перинский, В. В.
Наноразмерные ионно-легированные структуры арсенида галлия для твердотельных СВЧ устройств : учебное пособие / Перинский В. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 123 с. - ISBN 978-5-7433-3318-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- кластеризация -- корреляция -- наноконструирование -- физика
Аннотация: Ионная имплантация арсенида галлия позволяет изготавливать наноразмерные локальные активные, резистивные и изолирующие области в монокристаллическом и эпитаксиальном арсениде галлия в промышленной установке ионного легирования, где осуществляется изготовление элементов ИС СВЧ. Учебное пособие посвящено разработке физических основ и технике ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов серы, селена, гелия, водорода при создании наноразмерных активных, изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и его эпитаксиальных структурах; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии ионного легирования и изоляции. Книга предназначена магистрантам, занимающимся исследованиями в области технологии полупроводников АIIIВV для твердотельной СВЧ микроэлектроники, а также студентам, обучающимся по направлению «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в соответствии с программой подготовки специалистов высшей квалификации для предприятий твердотельной СВЧ электроники.
Доп.точки доступа:
Перинская, И. В.
Калганова, С. Г.
5.
Подробнее
Основы силовой электроники / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2019. - 424 с. - ISBN 978-5-94836-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.844
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- динисторы -- силовая электроника -- термобатареи -- тиристоры
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Доп.точки доступа:
Белоус, А. И.
Солодуха, В. А.
Ефименко, С. А.
Пилипенко, В. А.
Основы силовой электроники / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2019. - 424 с. - ISBN 978-5-94836-565-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- динисторы -- силовая электроника -- термобатареи -- тиристоры
Аннотация: В книге представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике. Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT. Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Книга ориентирована на широкий круг читателей – научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов, изучающих и применяющих элементную базу силовой электроники.
Доп.точки доступа:
Белоус, А. И.
Солодуха, В. А.
Ефименко, С. А.
Пилипенко, В. А.
6.
Подробнее
Митрошин, В. Н.
Схемотехника цифровых устройств : учебное пособие / Митрошин В. Н. - Самара : Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2019. - 118 с. - ISBN 978-5-7964-2166-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.97
Кл.слова (ненормированные):
информационная автоматика -- логический элемент -- регистр -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: Рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И 2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); рассмотрены разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Описаны схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. В данном пособии основное внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы, без понимания принципов работы и проектирования которых достаточно сложно освоить принципы создания и функционирования программируемых устройств.
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
Митрошин, В. Н.
Схемотехника цифровых устройств : учебное пособие / Митрошин В. Н. - Самара : Самарский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2019. - 118 с. - ISBN 978-5-7964-2166-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
информационная автоматика -- логический элемент -- регистр -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: Рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И 2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); рассмотрены разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Описаны схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. В данном пособии основное внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы, без понимания принципов работы и проектирования которых достаточно сложно освоить принципы создания и функционирования программируемых устройств.
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
7.
Подробнее
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
Данилов, В. С.
Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учебное пособие / Данилов В. С. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- барьер шоттки -- биполярный транзистор -- гетероструктурный транзистор -- моп-транзитор -- полевой свч-транзистор -- полупроводниковый элемент -- тепловое равновесие -- уравнение непрерывности -- уравнение пуассона
Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Доп.точки доступа:
Раков, Ю. Н.
8.
Подробнее
Гай, Юлий
Записки о Галльской войне / Гай Юлий. - Москва : РИПОЛ классик, 2022. - 274 с. - ISBN 978-5-386-13932-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 63.3
Кл.слова (ненормированные):
война -- галлия -- исторический деятель -- события -- страна -- цезарь -- цивилизация
Аннотация: «Записки о Галльской войне» Гая Юлия Цезаря, возможно, самая великая книга о войне в мировой литературе. Она писалась по горячим следам событий главным действующим лицом той войны, и в ней Цезарь-писатель равновелик Цезарю-полководцу и историческому деятелю. Это трагическая эпопея покорения огромной страны и лобового столкновения цивилизаций. Книга написана чрезвычайно просто и толково, будто бы речь в ней идет о борьбе римлян с грозной эпидемией. Поэтому цезаревы «Commentarii de bello Gallico» можно читать как отчет о легендарных событиях двухтысячелетней давности, но можно и как своеобразный комментарий к позднейшим перипетиям всемирной истории.
Доп.точки доступа:
Покровский, М. \пер.\
Гай, Юлий
Записки о Галльской войне / Гай Юлий. - Москва : РИПОЛ классик, 2022. - 274 с. - ISBN 978-5-386-13932-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
война -- галлия -- исторический деятель -- события -- страна -- цезарь -- цивилизация
Аннотация: «Записки о Галльской войне» Гая Юлия Цезаря, возможно, самая великая книга о войне в мировой литературе. Она писалась по горячим следам событий главным действующим лицом той войны, и в ней Цезарь-писатель равновелик Цезарю-полководцу и историческому деятелю. Это трагическая эпопея покорения огромной страны и лобового столкновения цивилизаций. Книга написана чрезвычайно просто и толково, будто бы речь в ней идет о борьбе римлян с грозной эпидемией. Поэтому цезаревы «Commentarii de bello Gallico» можно читать как отчет о легендарных событиях двухтысячелетней давности, но можно и как своеобразный комментарий к позднейшим перипетиям всемирной истории.
Доп.точки доступа:
Покровский, М. \пер.\
9.
Подробнее
Митрошин, В. Н.
Цифровая схемотехника : учебное пособие для СПО / Митрошин В. Н. - Саратов : Профобразование, 2022. - 116 с. - ISBN 978-5-4488-1413-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.97
Кл.слова (ненормированные):
генератор импульса -- информационная автоматика -- преобразователь -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); описаны разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Приведены схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. Особое внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы. Издание предназначено для студентов всех специальностей и профессий среднего профессионального образования, учебными планами которых предусмотрено изучение дисциплины «Цифровая схемотехника».
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
Митрошин, В. Н.
Цифровая схемотехника : учебное пособие для СПО / Митрошин В. Н. - Саратов : Профобразование, 2022. - 116 с. - ISBN 978-5-4488-1413-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
генератор импульса -- информационная автоматика -- преобразователь -- схемотехника -- цифровое устройство
Аннотация: В учебном пособии рассмотрены основные особенности построения цифровых устройств информационной автоматики, используемых в системах контроля и автоматического управления. Подробно освещены вопросы схемотехники применяемых в настоящее время цифровых устройств, выполненных по различным технологиям: ТТЛ, ЭСЛ, И2Л, КМОП (в том числе с затвором Шоттки на основе арсенида галлия); описаны разнообразные комбинационные устройства, устройства последовательного типа. Достаточно подробно освещены особенности реализации и функционирование аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Приведены схемы генераторов импульсов с использованием как логических схем, так и интегральных таймеров. Особое внимание уделено устройствам и узлам с жёсткой логикой работы. Издание предназначено для студентов всех специальностей и профессий среднего профессионального образования, учебными планами которых предусмотрено изучение дисциплины «Цифровая схемотехника».
Доп.точки доступа:
Мандра, А. Г.
Рогачев, Г. Н.
10.
Подробнее
Романюк, В. А.
Аналоговые устройства приемопередатчиков / Романюк В. А. - Москва : СОЛОН-ПРЕСС, 2021. - 144 с. - ISBN 978-5-91359-323-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.848
Кл.слова (ненормированные):
автогенераторы -- аналоговые устройства -- приемопередатчик -- радиопередатчик -- радиоприемник
Аннотация: Изложены основные сведения о составе, механизме работы и характеристиках аналоговых устройств, применяемых в радиопередатчиках и радиоприемниках СВЧ. Несмотря на успехи современной цифровой техники, в приемопередатчиках сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн продолжают применяться аналоговые устройства: усилители мощности, автогенераторы, синтезаторы и смесители частот, модуляторы и демодуляторы. Значительное внимание в пособии уделено функциональным схемам радиопередатчиков и радиоприемников, подробно рассмотрены параметры, определяющие их качество. При описании работы аналоговых устройств упор сделан на физические процессы с приведением необходимых математических выкладок, облегчающих понимание информации, отмечены особенности в случае аналоговой и цифровой формы радиосигналов. Материал, изложенный по каждому устройству, иллюстрируется примерами реализации интегральными схемами с приведением их параметров. В пособии намечены пути улучшения аналоговых устройств приемопередатчиков, связанные с созданием монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) на базе арсенида и нитрида галлия, карбида кремния и других современных полупроводниковых материалов. Информация пособия предназначена для подготовки бакалавров радиотехнического профиля.
Романюк, В. А.
Аналоговые устройства приемопередатчиков / Романюк В. А. - Москва : СОЛОН-ПРЕСС, 2021. - 144 с. - ISBN 978-5-91359-323-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
автогенераторы -- аналоговые устройства -- приемопередатчик -- радиопередатчик -- радиоприемник
Аннотация: Изложены основные сведения о составе, механизме работы и характеристиках аналоговых устройств, применяемых в радиопередатчиках и радиоприемниках СВЧ. Несмотря на успехи современной цифровой техники, в приемопередатчиках сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн продолжают применяться аналоговые устройства: усилители мощности, автогенераторы, синтезаторы и смесители частот, модуляторы и демодуляторы. Значительное внимание в пособии уделено функциональным схемам радиопередатчиков и радиоприемников, подробно рассмотрены параметры, определяющие их качество. При описании работы аналоговых устройств упор сделан на физические процессы с приведением необходимых математических выкладок, облегчающих понимание информации, отмечены особенности в случае аналоговой и цифровой формы радиосигналов. Материал, изложенный по каждому устройству, иллюстрируется примерами реализации интегральными схемами с приведением их параметров. В пособии намечены пути улучшения аналоговых устройств приемопередатчиков, связанные с созданием монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) на базе арсенида и нитрида галлия, карбида кремния и других современных полупроводниковых материалов. Информация пособия предназначена для подготовки бакалавров радиотехнического профиля.
Страница 1, Результатов: 10