База данных: Каталог ЭБС IPR SMART
Страница 2, Результатов: 42
Отмеченные записи: 0
11.
Подробнее
Белоус, А. И.
Основы проектирования субмикронных микросхем / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2020. - 782 с. - ISBN 978-5-94836-603-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.844
Кл.слова (ненормированные):
кибербезопасная микросхема -- микроэлектроника -- сквозное проектирование -- субмикронная микросхема
Аннотация: В объеме 14 глав одной книги детально и последовательно рассмотрен весь комплекс взаимосвязанных теоретических и практических аспектов сквозного проектирования и организации производства кремниевых субмикронных микросхем: теоретические основы работы полевых и биполярных транзисторов, методы и особенности конструктивно-схематического проектирования, базовые схемотехнические и системотехнические решения биполярных, КМОП-, БиКМОП- и КНИ-микросхем, методы и средства повышения их радиационной стойкости, стандартные библиотеки проектирования и типовые маршруты проектирования. Впервые в отечественной научно-технической литературе здесь детально рассмотрены методы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением, а также основные принципы и методы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле. Детально рассмотрены современные методы и средства управления качеством изготовления субмикронных микросхем, современные технологии корпусирования микросхем, систем-на-кристалле и систем в корпусе. Отдельная глава посвящена анализу состояния и тенденций развития современной микроэлектроники, включая методологический анализ существующих проблем и новых угроз. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов и преподавателей технических университетов, а также инженеров и менеджеров, специализирующихся в области разработки и организации производства субмикронных микросхем.
Доп.точки доступа:
Красников, Г. Я.
Солодуха, В. А.
Белоус, А. И.
Основы проектирования субмикронных микросхем / Белоус А. И. - Москва : Техносфера, 2020. - 782 с. - ISBN 978-5-94836-603-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
кибербезопасная микросхема -- микроэлектроника -- сквозное проектирование -- субмикронная микросхема
Аннотация: В объеме 14 глав одной книги детально и последовательно рассмотрен весь комплекс взаимосвязанных теоретических и практических аспектов сквозного проектирования и организации производства кремниевых субмикронных микросхем: теоретические основы работы полевых и биполярных транзисторов, методы и особенности конструктивно-схематического проектирования, базовые схемотехнические и системотехнические решения биполярных, КМОП-, БиКМОП- и КНИ-микросхем, методы и средства повышения их радиационной стойкости, стандартные библиотеки проектирования и типовые маршруты проектирования. Впервые в отечественной научно-технической литературе здесь детально рассмотрены методы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением, а также основные принципы и методы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле. Детально рассмотрены современные методы и средства управления качеством изготовления субмикронных микросхем, современные технологии корпусирования микросхем, систем-на-кристалле и систем в корпусе. Отдельная глава посвящена анализу состояния и тенденций развития современной микроэлектроники, включая методологический анализ существующих проблем и новых угроз. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов и преподавателей технических университетов, а также инженеров и менеджеров, специализирующихся в области разработки и организации производства субмикронных микросхем.
Доп.точки доступа:
Красников, Г. Я.
Солодуха, В. А.
12.
Подробнее
Чернышов, Д. Ю.
Структурные исследования функциональных материалов методами рассеяния синхротронного излучения : учебное пособие / Чернышов Д. Ю. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2020. - 111 с. - ISBN 978-5-7422-7052-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
метод рассеяния -- синхротронное излучение -- физика твердого тела
Аннотация: Соответствует содержанию рабочей программы дисциплины «Ядерно-физические методы в физике твердого тела» по направлению магистерской подготовки 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены физические принципы проведения структурных исследований материалов методами рассеяния синхротронного излучения. Главное внимание уделено основным структурным механизмам, определяющим физические свойства ряда материалов, в том числе молекулярных структур, сегнетоэлектрических пленок и кристаллов, а также базовым физическим принципам новых методов структурного эксперимента в электрическом поле и новым подходам к анализу больших объемов экспериментальной информации. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки магистров «Техническая физика», а также для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», для аспирантов и специалистов в области экспериментальной технической физики. Может использоваться в системе повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования.
Доп.точки доступа:
Вахрушев, С. Б.
Филимонов, А. В.
Чернышов, Д. Ю.
Структурные исследования функциональных материалов методами рассеяния синхротронного излучения : учебное пособие / Чернышов Д. Ю. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2020. - 111 с. - ISBN 978-5-7422-7052-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
метод рассеяния -- синхротронное излучение -- физика твердого тела
Аннотация: Соответствует содержанию рабочей программы дисциплины «Ядерно-физические методы в физике твердого тела» по направлению магистерской подготовки 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены физические принципы проведения структурных исследований материалов методами рассеяния синхротронного излучения. Главное внимание уделено основным структурным механизмам, определяющим физические свойства ряда материалов, в том числе молекулярных структур, сегнетоэлектрических пленок и кристаллов, а также базовым физическим принципам новых методов структурного эксперимента в электрическом поле и новым подходам к анализу больших объемов экспериментальной информации. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки магистров «Техническая физика», а также для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», для аспирантов и специалистов в области экспериментальной технической физики. Может использоваться в системе повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования.
Доп.точки доступа:
Вахрушев, С. Б.
Филимонов, А. В.
13.
Подробнее
Игнатов, А. Н.
Электроника : учебное пособие / Игнатов А. Н. - Новосибирск : Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2020. - 165 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
аналоговое устройство -- микросхема -- микроэлектронная система -- электроника
Аннотация: Рассмотрены свойства и применение основных элементов и узлов аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральных микросхем высоких степеней интеграции. Пособие ориентировано на студентов всех форм обучения технических специальностей вузов телекоммуникаций и информатики, а также родственных вузов, изучающих дисциплины «Электроника», «Микроэлектроника», «Схемотехника телекоммуникационных устройств».
Доп.точки доступа:
Савиных, В. Л.
Фадеева, Н. Е.
Игнатов, А. Н.
Электроника : учебное пособие / Игнатов А. Н. - Новосибирск : Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2020. - 165 с. - Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
аналоговое устройство -- микросхема -- микроэлектронная система -- электроника
Аннотация: Рассмотрены свойства и применение основных элементов и узлов аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральных микросхем высоких степеней интеграции. Пособие ориентировано на студентов всех форм обучения технических специальностей вузов телекоммуникаций и информатики, а также родственных вузов, изучающих дисциплины «Электроника», «Микроэлектроника», «Схемотехника телекоммуникационных устройств».
Доп.точки доступа:
Савиных, В. Л.
Фадеева, Н. Е.
14.
Подробнее
Перинская, И. В.
Инженерное дело. Начала методологии научных исследований. Аспект электроники : учебное пособие / Перинская И. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 95 с. - ISBN 978-5-7433-3325-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 72.5
Кл.слова (ненормированные):
инженерное дело -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- современная нанотехнология -- электроника
Аннотация: Приведены начала методологии научных исследований в области электроники. Описан исторический экскурс: вакуумная электроника, дискретная полупроводниковая, а также кремниевая, арсенидгаллиевая, нитридгаллиевая СВЧ твердотельная микроэлектроника и наноэлектроника. Учебное пособие содержит начала для контроля знаний инженерного дела в аспекте электроники. Предназначено для изучения студентами, магистрантами, аспирантами высших технических учебных заведений; использования преподавателями при проведении лекций для студентов, обучающихся по направлениям «Твердотельная электроника», «Радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника», «Приборы на квантовых эффектах», «Нано-технология в электронике», «Электротехнология».
Доп.точки доступа:
Перинский, В. В.
Вениг, С. Б.
Перинская, И. В.
Инженерное дело. Начала методологии научных исследований. Аспект электроники : учебное пособие / Перинская И. В. - Саратов : Саратовский государственный технический университет имени Ю.А. Гагарина, ЭБС АСВ, 2019. - 95 с. - ISBN 978-5-7433-3325-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
инженерное дело -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- современная нанотехнология -- электроника
Аннотация: Приведены начала методологии научных исследований в области электроники. Описан исторический экскурс: вакуумная электроника, дискретная полупроводниковая, а также кремниевая, арсенидгаллиевая, нитридгаллиевая СВЧ твердотельная микроэлектроника и наноэлектроника. Учебное пособие содержит начала для контроля знаний инженерного дела в аспекте электроники. Предназначено для изучения студентами, магистрантами, аспирантами высших технических учебных заведений; использования преподавателями при проведении лекций для студентов, обучающихся по направлениям «Твердотельная электроника», «Радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника», «Приборы на квантовых эффектах», «Нано-технология в электронике», «Электротехнология».
Доп.точки доступа:
Перинский, В. В.
Вениг, С. Б.
15.
Подробнее
Природа невоспроизводимости структуры и свойств материалов для микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Бодягин Н. В. - Саратов : Вузовское образование, 2019. - 70 с. - ISBN 978-5-4487-0363-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
материал -- материаловедение -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- технология материалов
Аннотация: В учебном пособии изложены аспекты теории сложных систем и самоорганизации применительно к технологиям материалов для микро- и наноэлектроники. Обоснованы новые методы устранения существующих проблем современного материаловедения. Подготовлено в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для изучения дисциплины «Электроника» по направлению подготовки высшего образования 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника». Кроме того, учебное пособие будет полезно студентам и аспирантам инженерно-технических специальностей и направлений, изучающих данную дисциплину.
Доп.точки доступа:
Бодягин, Н. В.
Вихров, С. П.
Ларина, Т. Г.
Мурсалов, С. М.
Тимофеев, В. Н.
Природа невоспроизводимости структуры и свойств материалов для микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Бодягин Н. В. - Саратов : Вузовское образование, 2019. - 70 с. - ISBN 978-5-4487-0363-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
материал -- материаловедение -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- технология материалов
Аннотация: В учебном пособии изложены аспекты теории сложных систем и самоорганизации применительно к технологиям материалов для микро- и наноэлектроники. Обоснованы новые методы устранения существующих проблем современного материаловедения. Подготовлено в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Предназначено для изучения дисциплины «Электроника» по направлению подготовки высшего образования 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника». Кроме того, учебное пособие будет полезно студентам и аспирантам инженерно-технических специальностей и направлений, изучающих данную дисциплину.
Доп.точки доступа:
Бодягин, Н. В.
Вихров, С. П.
Ларина, Т. Г.
Мурсалов, С. М.
Тимофеев, В. Н.
16.
Подробнее
Липатов, Г. И.
Расчеты процессов очистки и получения пленок и слоев методами физического и химического осаждения : учебное пособие / Липатов Г. И. - Воронеж : Воронежский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2019. - 85 с. - ISBN 978-5-7731-0798-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.84
Кл.слова (ненормированные):
метод -- микроэлектроника -- парогазовая фаза -- пленочный материал -- полупроводниковая техника -- ректификация
Аннотация: В учебном пособии приводятся теоретические сведения о физико-химических основах получения пленок и слоев методами физического и химического осаждения из парогазовой фазы, а также методах очистки исходных материалов, применяемых в производстве изделий микро- и наноэлектроники, для расчетов процессов очистки и получения пленок и слоев с использованием рассмотренных методов. Издание предназначено для студентов, изучающих дисциплину «Физико-химические основы нанотехнологии» и обучающихся по направлению подготовки 28.03.02 «Наноинженерия» (профиль «Инженерные нанотехнологии в приборостроении»).
Липатов, Г. И.
Расчеты процессов очистки и получения пленок и слоев методами физического и химического осаждения : учебное пособие / Липатов Г. И. - Воронеж : Воронежский государственный технический университет, ЭБС АСВ, 2019. - 85 с. - ISBN 978-5-7731-0798-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
метод -- микроэлектроника -- парогазовая фаза -- пленочный материал -- полупроводниковая техника -- ректификация
Аннотация: В учебном пособии приводятся теоретические сведения о физико-химических основах получения пленок и слоев методами физического и химического осаждения из парогазовой фазы, а также методах очистки исходных материалов, применяемых в производстве изделий микро- и наноэлектроники, для расчетов процессов очистки и получения пленок и слоев с использованием рассмотренных методов. Издание предназначено для студентов, изучающих дисциплину «Физико-химические основы нанотехнологии» и обучающихся по направлению подготовки 28.03.02 «Наноинженерия» (профиль «Инженерные нанотехнологии в приборостроении»).
17.
Подробнее
Васильев, В. Ю.
Современное производство изделий микроэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 88 с. - ISBN 978-5-7782-3907-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 65.30
Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- микроэлектроника -- полупроводниковое предприятие -- производство -- чип -- экономика
Аннотация: В учебном пособии рассмотрена совокупность вопросов, связанных с организацией современной микроэлектронной отрасли и производства интегральных микросхем (ИМС). Основной стремительного роста микроэлектронной индустрии является открытый конкурентный заинтересованный рынок, который развивается за счет возникновения и формирования новых потребностей у потребителей, инвестиций в исследования материалов и технологий, развития новых технологий, производств, аппаратуры. Имеют место глобализация микроэлектронной индустрии и объединение усилий в рамках альянсов и ассоциаций для решения общих задач. Дается общее представление об устройстве типичного полупроводникового предприятия по производству чипов ИМС. Рассмотрены тенденции проектирования современного оборудования для производства ИМС. Имеет место постепенный перенос к изготовителям оборудования работ по разработке и интеграции отдельных технологических процессов, а также сервисного обслуживания потребителей. Кратко охарактеризована основная деятельность инженера на предприятии по производству ИМС. Главной задачей инженеров в производстве является повышение качества выпускаемой продукции. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием технологических процессов производства изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для инженеров и технологов производства ИМС.
Васильев, В. Ю.
Современное производство изделий микроэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 88 с. - ISBN 978-5-7782-3907-4 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- микроэлектроника -- полупроводниковое предприятие -- производство -- чип -- экономика
Аннотация: В учебном пособии рассмотрена совокупность вопросов, связанных с организацией современной микроэлектронной отрасли и производства интегральных микросхем (ИМС). Основной стремительного роста микроэлектронной индустрии является открытый конкурентный заинтересованный рынок, который развивается за счет возникновения и формирования новых потребностей у потребителей, инвестиций в исследования материалов и технологий, развития новых технологий, производств, аппаратуры. Имеют место глобализация микроэлектронной индустрии и объединение усилий в рамках альянсов и ассоциаций для решения общих задач. Дается общее представление об устройстве типичного полупроводникового предприятия по производству чипов ИМС. Рассмотрены тенденции проектирования современного оборудования для производства ИМС. Имеет место постепенный перенос к изготовителям оборудования работ по разработке и интеграции отдельных технологических процессов, а также сервисного обслуживания потребителей. Кратко охарактеризована основная деятельность инженера на предприятии по производству ИМС. Главной задачей инженеров в производстве является повышение качества выпускаемой продукции. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием технологических процессов производства изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для инженеров и технологов производства ИМС.
18.
Подробнее
Федорец, В. Н.
Технологии защиты микросхем от обратного проектирования в контексте информационной безопасности / Федорец В. Н. - Москва : Техносфера, 2019 ; Воронеж : Техносфера, 2019. - 216 с. - ISBN 978-5-94836-562-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
защита микросхем -- информационная безопасность -- микроэлектроника
Аннотация: В книге рассмотрены вопросы обеспечения информационной безопасности современной электронной компонентной базы, используемой при разработке радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Особое внимание уделено вопросам уязвимости, возникающим при разработке и изготовлении микросхем, создаваемых по fabless-технологии. Авторами рассмотрены инженерно-технические и организационно-методические решения по защите от обратного проектирования современных микросхем. Книга может быть полезна специалистам в области микроэлектроники, разработчикам отечественной элементной базы, а также студентам, обучающимся по специальностям, связанным с разработкой микросистем и информационной безопасностью.
Доп.точки доступа:
Белов, Е. Н.
Балыбин, С. В.
Федорец, В. Н.
Технологии защиты микросхем от обратного проектирования в контексте информационной безопасности / Федорец В. Н. - Москва : Техносфера, 2019 ; Воронеж : Техносфера, 2019. - 216 с. - ISBN 978-5-94836-562-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
защита микросхем -- информационная безопасность -- микроэлектроника
Аннотация: В книге рассмотрены вопросы обеспечения информационной безопасности современной электронной компонентной базы, используемой при разработке радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Особое внимание уделено вопросам уязвимости, возникающим при разработке и изготовлении микросхем, создаваемых по fabless-технологии. Авторами рассмотрены инженерно-технические и организационно-методические решения по защите от обратного проектирования современных микросхем. Книга может быть полезна специалистам в области микроэлектроники, разработчикам отечественной элементной базы, а также студентам, обучающимся по специальностям, связанным с разработкой микросистем и информационной безопасностью.
Доп.точки доступа:
Белов, Е. Н.
Балыбин, С. В.
19.
Подробнее
Васильев, В. Ю.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 107 с. - ISBN 978-5-7782-3915-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- неорганический материал -- тонкая пленка
Аннотация: Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов осаждением из газовой фазы для использования в технологиях микро- и наноэлектроники. Пособие создано на основе исследовательской и публикационной активности автора в течение 40 лет; развиты и обобщены результаты исследований, начатых в 1970-х годах в Институте физики полупроводников Академии наук СССР и исследовательских отделах предприятий электронной промышленности г. Новосибирска. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с методологией и технологией получения высококачественных ТП для изделий микроэлектроники, показана возрастающая роль ТП технологий в технологических маршрутах изготовления изделий, рассмотрены тенденции развития, типы и характеристики оборудования для процессов производства ИМС, технологические процессы получения различных ТП материалов на основе кремния, свойства ТП материалов. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа: 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется также для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием физико-химических основ технологических процессов изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов по специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для технологов производства ИМС, исследователей в области нанотехнологий.
Васильев, В. Ю.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники : учебное пособие / Васильев В. Ю. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 107 с. - ISBN 978-5-7782-3915-9 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
газовая фаза -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- неорганический материал -- тонкая пленка
Аннотация: Рассмотрены вопросы методологии и технологии создания тонких пленок (ТП) неорганических материалов осаждением из газовой фазы для использования в технологиях микро- и наноэлектроники. Пособие создано на основе исследовательской и публикационной активности автора в течение 40 лет; развиты и обобщены результаты исследований, начатых в 1970-х годах в Институте физики полупроводников Академии наук СССР и исследовательских отделах предприятий электронной промышленности г. Новосибирска. Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с методологией и технологией получения высококачественных ТП для изделий микроэлектроники, показана возрастающая роль ТП технологий в технологических маршрутах изготовления изделий, рассмотрены тенденции развития, типы и характеристики оборудования для процессов производства ИМС, технологические процессы получения различных ТП материалов на основе кремния, свойства ТП материалов. Учебное пособие разработано в соответствии с рабочей программой учебной дисциплины «Семинары по специальности», образовательная программа: 11.04.04. «Электроника и наноэлектроника», магистерская программа «Микро- и наноэлектроника». Рекомендуется также для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 («Электроника и наноэлектроника»), 28.03.01 и 28.04.01 («Нанотехнологии и микросистемная техника») в рамках семинаров по специальностям и по дисциплинам, связанным с преподаванием физико-химических основ технологических процессов изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники. Также рекомендуется для аспирантов по специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», представляет интерес для технологов производства ИМС, исследователей в области нанотехнологий.
20.
Подробнее
Дыбко, М. А.
Цифровая микроэлектроника : учебное пособие / Дыбко М. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 200 с. - ISBN 978-5-7782-3834-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 32.85
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- логический элемент -- полевой транзистор -- цифровая микроэлектроника -- цифровое устройство -- электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».
Доп.точки доступа:
Удовиченко, А. В.
Волков, А. Г.
Дыбко, М. А.
Цифровая микроэлектроника : учебное пособие / Дыбко М. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2019. - 200 с. - ISBN 978-5-7782-3834-3 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
биполярный транзистор -- логический элемент -- полевой транзистор -- цифровая микроэлектроника -- цифровое устройство -- электронный ключ
Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия. По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника». Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».
Доп.точки доступа:
Удовиченко, А. В.
Волков, А. Г.
Страница 2, Результатов: 42